內存價(jià)格又瘋漲了，存儲芯片市場(chǎng)發(fā)生了什么？ | 研報推薦

注：原文為山西證券《把握行業(yè)周期反轉機會(huì )，存儲產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)替代空間大》，分析師：高宇洋。

就在今天，繼美國內存大廠(chǎng)西部數據宣布漲價(jià)后，硬盤(pán)大廠(chǎng)希捷科技（Seagate）也宣布跟進(jìn)漲價(jià)。

根據希捷科技的公告，目前公司業(yè)務(wù)多個(gè)部分都逐步恢復需求，減產(chǎn)也限制公司滿(mǎn)足客戶(hù)需求的能力，導致交貨周期延長(cháng)，同時(shí)成本也持續受全球通膨影響。因此，希捷科技將對新訂單以及超過(guò)先前承諾數量的需求進(jìn)行漲價(jià)，并持續幾個(gè)季度。

不僅是機械硬盤(pán)（HDD）和固態(tài)硬盤(pán)（SSD）行業(yè)開(kāi)始漲價(jià)，存儲三大廠(chǎng)三星、美光、SK海力士更是賺麻了，營(yíng)收與利潤再創(chuàng )新高。

而就在2023年，存儲行業(yè)剛經(jīng)歷了一波“暗黑時(shí)刻”下，全球存儲器市場(chǎng)規模下降三分之一，三巨頭無(wú)一幸免。

那么這一年來(lái)發(fā)生了什么，讓存儲芯片市場(chǎng)迎來(lái)觸底反彈？

在名為《把握行業(yè)周期反轉機會(huì )，存儲產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)替代空間大》的行業(yè)深度報告里，分析師介紹了存儲芯片近一年市場(chǎng)表現。

以下為研報內容節選：

一、存儲芯片具有強周期屬性

存儲芯片周期性強，且其周期波動(dòng)大于半導體整體

結合半導體行業(yè)銷(xiāo)售額規模和增速來(lái)看，從2000年起，半導體產(chǎn)業(yè)共經(jīng)歷了6輪周期，每輪周期約4年左右，上行周期通常為2-3年，下行周期通常為1-1.5年。

存儲芯片作為半導體市場(chǎng)標準化程度最高的產(chǎn)品，同類(lèi)產(chǎn)品可替代性強，受行業(yè)景氣度供需關(guān)系影響較大，加上當前存儲行業(yè)已形成壟斷格局，頭部廠(chǎng)商在產(chǎn)能規劃和產(chǎn)品定價(jià)方面步調相對一致，因此行業(yè)周期性更強。

根據半導體行業(yè)及其細分市場(chǎng)的銷(xiāo)售額增速來(lái)看，存儲和半導體市場(chǎng)的周期性趨同，但存儲的行業(yè)周期波動(dòng)大于其他半導體細分市場(chǎng)，彈性更強。

在半導體行業(yè)處于下行周期時(shí)，存儲市場(chǎng)往往會(huì )受到更高的沖擊，而相應地若處于從低谷持續回暖的上行周期，存儲市場(chǎng)也會(huì )受益更多。

通常，存儲行業(yè)3-4年一個(gè)周期，上行期與下行期均約2年。

2012年至今，存儲主要經(jīng)歷了三輪周期：

第一輪周期（2012-2015年）：

2012年，在移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的普及推動(dòng)下，智能手機加速滲透，4G網(wǎng)絡(luò )帶來(lái)的換機潮在提升全球手機銷(xiāo)量的同時(shí)，也提高了手機的單機存儲容量，存儲芯片需求增長(cháng)，存儲行業(yè)開(kāi)啟上行周期。

2014年，三大廠(chǎng)商大幅擴產(chǎn)導致供大于求，存儲行業(yè)景氣度下行。

第二輪周期（2016-2019年）：

2016年，互聯(lián)網(wǎng)云廠(chǎng)商加大資本開(kāi)支疊加比特幣市場(chǎng)繁榮，驅動(dòng)服務(wù)器出貨量快速增長(cháng)；

2017年，手機、服務(wù)器銷(xiāo)量跨上歷史高點(diǎn)，但DRAM廠(chǎng)商將部分產(chǎn)能轉移至3DNAND，供需錯配下DRAM顆粒缺貨嚴重，價(jià)格呈上升趨勢，存儲行業(yè)景氣度持續上行。

2018年，存儲大廠(chǎng)開(kāi)始擴產(chǎn)增加供給，同時(shí)手機、服務(wù)器需求逐漸疲軟，存儲價(jià)格滑落，行業(yè)進(jìn)入下行區間。

第三輪周期（2020-2023年）：

2020年疫情帶動(dòng)PC、平板電腦、服務(wù)器需求上升，同時(shí)5G催生終端容量增長(cháng)，但全球疫情又使得存儲廠(chǎng)商產(chǎn)能供應不足，存儲價(jià)格一路向上，于2022年一季度價(jià)格見(jiàn)頂。

2021年末隨著(zhù)廠(chǎng)商新一輪產(chǎn)能投產(chǎn)，全球經(jīng)濟低迷導致下游消費需求疲軟，存儲價(jià)格持續下跌，2022年供需差距拉大導致存儲底部周期拉長(cháng)。

二、存儲進(jìn)入新一輪上行周期

1、供給端：庫存水位趨于正常，資本支出聚焦高端存儲

美光和海力士資本開(kāi)支目前已處低位，三星資本開(kāi)支也有下降預期。

通過(guò)復盤(pán)三大存儲原廠(chǎng)在前三輪存儲周期中的資本開(kāi)支表現，分析師發(fā)現，在每一輪存儲上行周期啟動(dòng)的時(shí)候，三大存儲原廠(chǎng)的資本開(kāi)支或在低點(diǎn)或已經(jīng)經(jīng)歷縮減。同時(shí)可以看到，三大存儲原廠(chǎng)中，美光與海力士資本開(kāi)支基本與存儲周期同頻，三星資本支出相對較高，在最近一輪的下行周期中，仍保持著(zhù)高位運行（逆周期投資）。

目前，美光和海力士的資本開(kāi)支再次來(lái)到了低位，并且三星的資本開(kāi)支也有下降預期，從資本開(kāi)支趨勢來(lái)看，符合上行周期啟動(dòng)特征。

2024年資本開(kāi)支整體預計高于2023年，且主要為支持HBM、DDR5等高端存儲產(chǎn)品，所以存儲芯片整體量產(chǎn)增長(cháng)有限。

從2022年年初開(kāi)始，受需求放緩、庫存高企、價(jià)格競爭加劇等影響，存儲芯片進(jìn)入下行周期，多家存儲廠(chǎng)商減產(chǎn)以降低庫存，并節約資本開(kāi)支。

隨著(zhù)上游廠(chǎng)商減產(chǎn)、智能手機新產(chǎn)品發(fā)布和以ChatGPT為代表的新一代人工智能快速發(fā)展，存儲行業(yè)供需格局得到明顯改善。根據多家存儲大廠(chǎng)發(fā)布的生產(chǎn)指引，存儲廠(chǎng)商2024年資本開(kāi)支整體預計高于2023年，但存儲廠(chǎng)商在HBM、DDR5等高端存儲產(chǎn)品的擴產(chǎn)趨勢明確，且HBM和現有DDR產(chǎn)品相比，HBM尺寸更大、需要底部緩沖芯片，這進(jìn)一步限制了非HBM存儲產(chǎn)品的產(chǎn)量，所以2024年存儲芯片整體量產(chǎn)增長(cháng)有限。

存儲行業(yè)庫存水位趨于正?；?，存儲周期見(jiàn)底信號明確。

隨著(zhù)三大存儲原廠(chǎng)持續降低資本開(kāi)支、減產(chǎn)調節庫存，以控制市場(chǎng)過(guò)剩的供應總量，海外存儲芯片庫存水位正趨于正?；?。同時(shí)，國內存儲行業(yè)也出現明顯周期見(jiàn)底信號。

2、需求端：下游市場(chǎng)復蘇+AI需求提振

存儲下游主要應用市場(chǎng)是智能手機、PC和服務(wù)器。

根據華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院的數據，DRAM下游應用主要分布在智能手機、PC和服務(wù)器市場(chǎng)；

NAND Flash以應用于手機市場(chǎng)的嵌入式存儲產(chǎn)品、PC SSD、以及企業(yè)級SSD產(chǎn)品為主。

考慮到半導體存儲市場(chǎng)中，DRAM和NAND Flash占據95%以上份額，所以智能手機、PC和服務(wù)器成為存儲終端需求的重要驅動(dòng)力。

下游市場(chǎng)復蘇疊加AI浪潮驅動(dòng)，提振存儲需求

新品發(fā)布疊加AI新生態(tài)推動(dòng)智能手機迎來(lái)?yè)Q機潮，預計2024年智能手機市場(chǎng)持續回暖。

根據Wind數據，2023Q3全球智能手機出貨量達到3.03億部，環(huán)比增長(cháng)14.1%，同比增長(cháng)0.3%，這也是8個(gè)季度以來(lái)，全球智能手機出貨量首次出現同比增長(cháng)，智能手機市場(chǎng)呈現觸底反彈趨勢。

隨著(zhù)多屏、折疊等高端新機型發(fā)布提速，以及AI大模型落地手機端，預計2024年全球智能手機市場(chǎng)復蘇將持續。

根據Counterpoint發(fā)布的《生成式AI智能手機出貨量和洞察》報告預測，2024年將是GenA（I生成式AI）智能手機的關(guān)鍵一年，出貨量將超過(guò)1億部，同時(shí)Canalys預計2024年全球智能手機出貨量將繼續增長(cháng)，并以健康的趨勢同比增長(cháng)4%。

由于智能手機滲透率增速放緩，單機容量提升成為智能手機存儲需求增長(cháng)的主要推動(dòng)力。

伴隨移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展，更多應用軟件在智能手機上運行，為保證手機流暢運轉，對手機內存需求也從4BG不斷增加，直至8GB乃至更高。

此外，相機、應用處理器和顯示器的進(jìn)步刺激手機對視頻、圖像等多媒體應用的存儲需求增長(cháng)。根據Counterpoint數據，全球智能手機NAND閃存平均容量在2020年首次突破100GB大關(guān)。隨著(zhù)AI技術(shù)的不斷突破，AI落地智能手機也成為未來(lái)智能手機的一個(gè)重要方向。

而AI大模型在智能手機的應用，也對內存容量提出了更高的要求。

需要運行圖像生成AI的終端側，約需12GB內存，而具備數字AI助手功能的設備，約需20GB內存。

隨著(zhù)智能手機用戶(hù)換機周期的拉長(cháng)和手機高端化的發(fā)展趨勢，用戶(hù)在購買(mǎi)時(shí)必將會(huì )更注重手機存儲配置，因此單機容量提升將成為智能手機存儲需求增長(cháng)的主要推動(dòng)力。

PC去庫存見(jiàn)效，疊加AIPC刺激，預計PC市場(chǎng)逐步復蘇，存儲需求有望提高。

疫情期間居家辦公、網(wǎng)課學(xué)習等需求大幅預支了市場(chǎng)PC需求，渠道庫存較多，從2022年開(kāi)始全球PC出貨量明顯下降，PC市場(chǎng)在連續8個(gè)季度下滑后，于2023年第四季度恢復增長(cháng)，可見(jiàn)PC市場(chǎng)經(jīng)過(guò)大幅調整后已經(jīng)觸底。

隨著(zhù)AI浪潮來(lái)襲，預計2024年AI將拓展更多邊緣側應用，包括AI PC等終端裝置。

同時(shí)，AIPC有望帶動(dòng)PC平均搭載容量提升。從現有微軟針對AI PC的規格要求來(lái)看，DRAM基本需求為16GB起跳，長(cháng)期來(lái)看，后續伴隨消費者的換機潮，AIPC將有機會(huì )帶動(dòng)PC DRAM的位元需求年增長(cháng)。根據Canalys預計，隨著(zhù)廠(chǎng)商去庫存接近尾聲，需求逐漸恢復，疊加AIPC的推動(dòng)，2024年P(guān)C總出貨量將達到2.67億臺，較2023年增長(cháng)8%，存儲需求有望持續提高。

在汽車(chē)自動(dòng)駕駛的驅動(dòng)下，汽車(chē)有望成為增長(cháng)最快的存儲應用市場(chǎng)之一。

自動(dòng)駕駛汽車(chē)需要處理海量數據，這類(lèi)汽車(chē)預計平均每天會(huì )產(chǎn)生20TB的數據。再加上車(chē)載信息娛樂(lè )和ADAS中都需要使用的人工智能（如手勢識別、自然語(yǔ)言處理、計算機視覺(jué)、目標檢測和識別），還有高清顯示屏、自適應巡航控制、語(yǔ)音助手和其他數字化座艙功能，汽車(chē)需要在瞬間整合并分析這些數據，因此對內存和計算的需求也呈指數級增長(cháng)。

根據Yole預測，2021-2027年汽車(chē)存儲市場(chǎng)將從43億美元增加至125億美元，對應年復合增速為20%。盡管汽車(chē)存儲市場(chǎng)占存儲市場(chǎng)不到5%，但其增速遠超行業(yè)平均增速，有望成為增長(cháng)最快的存儲應用市場(chǎng)之一

大模型從單模態(tài)走向多模態(tài)，給數據存儲帶來(lái)容量和性能挑戰。

隨著(zhù)大模型的發(fā)展，大模型已經(jīng)從傳統模型的單模態(tài)走向多模態(tài)，包含文本、圖片、音頻、視頻等信息，這種變化帶來(lái)了指數級的數據增長(cháng)，數據集規模從純文本的TB級別增長(cháng)至PB級別，并且對數據存儲也提出更高的要求。

海量數據尤其PB級的數據，需要更大的存儲容量，同時(shí)在訓練過(guò)程中這些數據寫(xiě)得少、讀得多，還需要更高的吞吐量，以及對的延遲、性能有更高的要求。

AI服務(wù)器出貨量快速增長(cháng)，正在抵消通用服務(wù)器迭代的延遲，驅動(dòng)服務(wù)器市場(chǎng)長(cháng)期需求增長(cháng)。

根據Statista數據，2023年全球服務(wù)器出貨量為1381.4萬(wàn)臺，同比上漲1.49%，較前幾年增速明顯放緩，主要是因為超大規模企業(yè)和企業(yè)市場(chǎng)在2023年持續謹慎支出和延長(cháng)服務(wù)器生命周期。

隨著(zhù)人工智能的加速發(fā)展，AI服務(wù)器的需求迎來(lái)快速上升，成為撬動(dòng)服務(wù)器市場(chǎng)的新增長(cháng)點(diǎn)。

在高性能GPU需求推動(dòng)下，HBM目前已經(jīng)成為AI服務(wù)器的搭載標配。

AI大模型的興起催生了海量算力需求，而數據處理量和傳輸速率大幅提升使得AI服務(wù)器對芯片內存容量和傳輸帶寬提出更高要求。

HBM具備高帶寬、高容量、低延時(shí)和低功耗優(yōu)勢，目前已逐步成為AI服務(wù)器中GPU的搭載標配。英偉達推出的多款用于A(yíng)I訓練的芯片A100、H100和H200，都采用了HBM顯存。

HBM供應緊張，訂單量持續攀升，2024年HBM營(yíng)收預期同比大幅增長(cháng)。

HBM相較DDR5同制程與同容量（例如24Gb對比24Gb）尺寸大35%-45%；良率（包含TSV封裝良率）則比起DDR5低約20%-30%；生產(chǎn)周期（包含TSV）較DDR5多1.5-2個(gè)月，整體從投片到產(chǎn)出與封裝完成需要兩個(gè)季度以上。

因此，急需取得充足供貨的買(mǎi)家需要更早鎖定訂單。

單機搭載容量提升或成為2024年存儲市場(chǎng)需求增長(cháng)的主要驅動(dòng)力。

存儲需求增長(cháng)體現在設備出貨增長(cháng)和單機容量增長(cháng)，受益于端側AI應用落地以及AI服務(wù)器需求增長(cháng)。根據Trend Force數據，2024年智能手機、服務(wù)器、PC出貨量均有個(gè)位數百分比提升，但DRAM和NAND單機搭載容量提升或成為存儲市場(chǎng)需求增長(cháng)的主要驅動(dòng)力。

根據美光測算，一臺AI服務(wù)器DRAM使用量是普通服務(wù)器8倍，NAND使用量是普通服務(wù)器3倍，而隨著(zhù)智能手機滲透率提升、AIPC和AI手機陸續推出，DRAM和NAND的單機容量也有雙位數以上的增長(cháng)顯著(zhù)。

3、價(jià)格上漲趨勢明確，存儲進(jìn)入新一輪上行周期

DRAM Wafer價(jià)格自2023年9月開(kāi)始觸底反彈，上漲趨勢明顯。

受下游需求疲軟影響，DRAM Wafer價(jià)格自上輪高點(diǎn)（21年7月）下行已持續兩年多，自2022年四季度起，全球存儲芯片大廠(chǎng)三星、海力士、美光、西部數據、鎧俠等紛紛減產(chǎn)去庫存以應對市場(chǎng)疲軟趨勢。

經(jīng)過(guò)2023Q2-Q3磨底后，DRAM Wafer現貨平均價(jià)基本在9月觸底，2023年四季度價(jià)格開(kāi)始持續反彈。

NAND Flash在供給有限且需求大幅增加情況下，晶圓、模組價(jià)格均持續提升。

隨著(zhù)存儲原廠(chǎng)大幅減產(chǎn)控制供給，買(mǎi)方出于對供應將顯著(zhù)減少的預期心理，采購態(tài)度轉趨積極，由三星引領(lǐng)的減產(chǎn)提價(jià)策略初見(jiàn)成效，NAND Flash Wafer價(jià)格自2023年三季度開(kāi)始觸底反彈。

然而2023年下半年除了受傳統旺季帶動(dòng)，中國手機品牌又擴大生產(chǎn)目標，短時(shí)間需求涌入，推動(dòng)NAND Flash合約價(jià)格上漲。

上游NAND Flash晶圓價(jià)格被拉高后，由于下游模組廠(chǎng)手中庫存低于正常季節水準，引發(fā)終端搶貨，消費性SSD、存儲卡、手機相關(guān)零部件如eMMC、eMCP也隨之走揚。

DRAM、NAND Flash產(chǎn)品合約價(jià)漲幅樂(lè )觀(guān)，2024年第一季度漲勢延續。

由于供應端企業(yè)擴大減產(chǎn)力度，且PC、手機和服務(wù)器等需求恢復，DRAM和NAND Flash產(chǎn)品合約價(jià)在第四季度全面上漲。

2024年存儲行業(yè)進(jìn)入新一輪上行周期，并且存儲漲價(jià)趨勢或將持續更久。

隨著(zhù)存儲行業(yè)庫存水位趨于正?；?，三大存儲原廠(chǎng)資本支出聚焦高端存儲，存儲芯片整體量產(chǎn)增長(cháng)有限，以及存儲下游手機、PC等傳統市場(chǎng)需求復蘇、AI帶來(lái)的服務(wù)器需求催化，存儲供需格局得到明顯改善，存儲價(jià)格自2023年9月份以來(lái)出現明顯上漲趨勢，且漲價(jià)趨勢已經(jīng)持續2個(gè)季度。

從業(yè)績(jì)增速上看，模組廠(chǎng)業(yè)績(jì)向上拐點(diǎn)較原廠(chǎng)領(lǐng)先1-2個(gè)季度。

模組集成環(huán)節處于原廠(chǎng)下游，較原廠(chǎng)更早感受到終端需求的變化，愿意在上行周期背負更多庫存，在下行周期提前砍單。

雖然晶圓價(jià)格或先于模組價(jià)格筑底，但原廠(chǎng)營(yíng)收增速仍需模組廠(chǎng)商以及OEM客戶(hù)相應庫存回歸正常后才會(huì )回暖，故存儲原廠(chǎng)業(yè)績(jì)表現拐點(diǎn)略滯后于模組廠(chǎng)商。

三、長(cháng)期：存儲產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)替代空間大

存儲產(chǎn)業(yè)鏈主要包括存儲晶圓廠(chǎng)、主控芯片廠(chǎng)、封裝測試廠(chǎng)以及存儲模組廠(chǎng)。

存儲產(chǎn)業(yè)鏈上游是原材料和半導體設備，原材料主要以硅片、光刻膠、電子特種氣等為主，半導體設備主要以光刻機、刻蝕設備、檢測與測試設備等等為主。

存儲產(chǎn)業(yè)鏈中游包括制造、封測和集成模組三大環(huán)節，其中，存儲晶圓顆粒是存儲器的核心，存儲產(chǎn)品中的所有數據和信息均存儲在晶圓顆粒中；

封裝測試是將存儲晶圓顆粒和主控芯片封裝在一起，并對整個(gè)存儲器進(jìn)行測試和調試；模組廠(chǎng)將存儲器和其他電子組件組合在一起，形成最終產(chǎn)品。

存儲產(chǎn)業(yè)鏈下游的應用則包括消費電子、信息通信、汽車(chē)電子、物聯(lián)網(wǎng)、高新科技等。

1、存儲芯片：大陸積極布局利基市場(chǎng)，長(cháng)鑫長(cháng)存加速?lài)a(chǎn)替代

DRAM和NANDFlash是市場(chǎng)主流存儲方案。

根據Yole，目前市場(chǎng)上除DRAM、NAND Flash、NOR Flash，其他存儲技術(shù)的市場(chǎng)份額合計僅2%，預計到2026年新興的存儲技術(shù)，包括PCM、MRAM、RERAM份額仍將不到全市場(chǎng)的1%。

新型存儲發(fā)展方向均是將DRAM的讀寫(xiě)速度與Flash的非易失性結合起來(lái)，但目前尚無(wú)方案可替代DRAM和NAND Flash和NAND Flash仍是市場(chǎng)主流存儲方案，占據存儲芯片市場(chǎng)95%以上份額。

海外廠(chǎng)商高度壟斷存儲芯片，我國國產(chǎn)替代空間廣闊。

全球存儲芯片市場(chǎng)被海外企業(yè)高度壟斷，DRAM作為存儲器第一大產(chǎn)品，三星、海力士、美光壟斷了全球96.5%的市場(chǎng)份額，行業(yè)集中度高，寡頭明顯；NAND領(lǐng)域，競爭格局相對DRAM領(lǐng)域較分散，三星、鎧俠、SK海力士、西部數據、美光合計占據95.5%的市場(chǎng)份額。

我國雖然是全球最主要的存儲芯片消費市場(chǎng)，但由于產(chǎn)業(yè)起步較晚，市場(chǎng)占有率仍相對較低，國產(chǎn)替代空間廣闊。

隨著(zhù)DRAM迭代升級，高性能、低功耗成為兩大主要發(fā)展趨勢。

以DDR系列產(chǎn)品為例，目前DDR已經(jīng)迭代到第5代，且每一代工作電壓都較前一代有所降低，這意味著(zhù)隨著(zhù)DDR內存技術(shù)的發(fā)展，其能耗、發(fā)熱量會(huì )逐步減小，體現了DRAM低功耗的發(fā)展趨勢；

同時(shí)DDR第1代到第5代的最大顆粒容量和最小傳輸速度均實(shí)現了翻倍增長(cháng)，芯片容量的擴大以及傳輸速率的提高，體現了DRAM高性能的發(fā)展趨勢。

處理器升級推動(dòng)DDR5滲透率提升，DDR5內存將在2024年成為主流。

無(wú)論是PC還是服務(wù)器，隨著(zhù)英特爾以及AMD處理器的相繼發(fā)布，DDR5滲透率快速提升。

大陸廠(chǎng)商積極布局利基市場(chǎng)，海外廠(chǎng)商持續退出，國產(chǎn)廠(chǎng)商有望迎來(lái)成長(cháng)機會(huì )。

存儲市場(chǎng)產(chǎn)品迭代不斷，按市場(chǎng)流行程度分為主流產(chǎn)品和利基產(chǎn)品，利基產(chǎn)品一般是從主流規格中退役的產(chǎn)品，目前市場(chǎng)主流DRAM包括8Gb以上的DDR4、DDR5顆粒，利基DRAM包括DDR3及部分DDR4顆粒，主流NAND包括SLCNAND、MLC/TLC NAND<=4GB，主流NAND包括MLC/TLCNAND>4GB。

國產(chǎn)廠(chǎng)商兆易創(chuàng )新、北京君正、東芯股份等積極布局利基市場(chǎng)，分析師認為國產(chǎn)廠(chǎng)商有望在利基市場(chǎng)復制2016-2017年NORFlash產(chǎn)業(yè)進(jìn)階路徑并實(shí)現受益。

DRAM工藝制程已經(jīng)縮小到15nm以下，并不斷向10nm逼近。

對DRAM芯片而言，先進(jìn)制程意味著(zhù)高能效與高容量，以及更好的終端使用體驗。DRAM工藝制程發(fā)展迅猛，三星、SK海力士、美光作為DRAM領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，三家企業(yè)在16-17年進(jìn)入1x（16-19nm）階段，18-19年邁進(jìn)1y（14-16nm）階段，20年后進(jìn)入1z（12-14nm）階段。當前DRAM先進(jìn)制程工藝——10nm級別，經(jīng)歷了1x、1y、1z與1α四代技術(shù)，目前來(lái)到了第五代，美光稱(chēng)之為1β DRAM，三星稱(chēng)之為1b DRAM。

NAND Flash進(jìn)入立體堆疊時(shí)代，3DNAND成為主流技術(shù)趨勢。

3D NAND Flash目前已經(jīng)突破200層，三星第8代V-NAND層數達到了236層；美光232層NAND Flash已經(jīng)量產(chǎn)出貨；鎧俠和西部數據共同推出218層3D NAND閃存，已開(kāi)始為部分客戶(hù)提供樣品；海力士開(kāi)發(fā)出世界最高238層4D NAND閃存。

未來(lái)存儲廠(chǎng)商將持續發(fā)力更高層數NAND Flash，美光計劃推出2YY、3XX與4XX等更高層數產(chǎn)品；鎧俠與西部數據也在積極探索300層以上的3D NAND技術(shù)；三星則計劃2024年推出第九代3D NAND（有望達到280層），2025-2026年推出第十代3D NAND（有望達到430層）。

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