內存價(jià)格又瘋漲了,存儲芯片市場(chǎng)發(fā)生了什么? | 研報推薦
注:原文為山西證券《把握行業(yè)周期反轉機會(huì ),存儲產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)替代空間大》,分析師:高宇洋。
就在今天,繼美國內存大廠(chǎng)西部數據宣布漲價(jià)后,硬盤(pán)大廠(chǎng)希捷科技(Seagate)也宣布跟進(jìn)漲價(jià)。
根據希捷科技的公告,目前公司業(yè)務(wù)多個(gè)部分都逐步恢復需求,減產(chǎn)也限制公司滿(mǎn)足客戶(hù)需求的能力,導致交貨周期延長(cháng),同時(shí)成本也持續受全球通膨影響。因此,希捷科技將對新訂單以及超過(guò)先前承諾數量的需求進(jìn)行漲價(jià),并持續幾個(gè)季度。
不僅是機械硬盤(pán)(HDD)和固態(tài)硬盤(pán)(SSD)行業(yè)開(kāi)始漲價(jià),存儲三大廠(chǎng)三星、美光、SK海力士更是賺麻了,營(yíng)收與利潤再創(chuàng )新高。
而就在2023年,存儲行業(yè)剛經(jīng)歷了一波“暗黑時(shí)刻”下,全球存儲器市場(chǎng)規模下降三分之一,三巨頭無(wú)一幸免。
那么這一年來(lái)發(fā)生了什么,讓存儲芯片市場(chǎng)迎來(lái)觸底反彈?
在名為《把握行業(yè)周期反轉機會(huì ),存儲產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)替代空間大》的行業(yè)深度報告里,分析師介紹了存儲芯片近一年市場(chǎng)表現。
以下為研報內容節選:
一、存儲芯片具有強周期屬性
存儲芯片周期性強,且其周期波動(dòng)大于半導體整體
結合半導體行業(yè)銷(xiāo)售額規模和增速來(lái)看,從2000年起,半導體產(chǎn)業(yè)共經(jīng)歷了6輪周期,每輪周期約4年左右,上行周期通常為2-3年,下行周期通常為1-1.5年。
存儲芯片作為半導體市場(chǎng)標準化程度最高的產(chǎn)品,同類(lèi)產(chǎn)品可替代性強,受行業(yè)景氣度供需關(guān)系影響較大,加上當前存儲行業(yè)已形成壟斷格局,頭部廠(chǎng)商在產(chǎn)能規劃和產(chǎn)品定價(jià)方面步調相對一致,因此行業(yè)周期性更強。
根據半導體行業(yè)及其細分市場(chǎng)的銷(xiāo)售額增速來(lái)看,存儲和半導體市場(chǎng)的周期性趨同,但存儲的行業(yè)周期波動(dòng)大于其他半導體細分市場(chǎng),彈性更強。
在半導體行業(yè)處于下行周期時(shí),存儲市場(chǎng)往往會(huì )受到更高的沖擊,而相應地若處于從低谷持續回暖的上行周期,存儲市場(chǎng)也會(huì )受益更多。
通常,存儲行業(yè)3-4年一個(gè)周期,上行期與下行期均約2年。
2012年至今,存儲主要經(jīng)歷了三輪周期:
第一輪周期(2012-2015年):
2012年,在移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的普及推動(dòng)下,智能手機加速滲透,4G網(wǎng)絡(luò )帶來(lái)的換機潮在提升全球手機銷(xiāo)量的同時(shí),也提高了手機的單機存儲容量,存儲芯片需求增長(cháng),存儲行業(yè)開(kāi)啟上行周期。
2014年,三大廠(chǎng)商大幅擴產(chǎn)導致供大于求,存儲行業(yè)景氣度下行。
第二輪周期(2016-2019年):
2016年,互聯(lián)網(wǎng)云廠(chǎng)商加大資本開(kāi)支疊加比特幣市場(chǎng)繁榮,驅動(dòng)服務(wù)器出貨量快速增長(cháng);
2017年,手機、服務(wù)器銷(xiāo)量跨上歷史高點(diǎn),但DRAM廠(chǎng)商將部分產(chǎn)能轉移至3DNAND,供需錯配下DRAM顆粒缺貨嚴重,價(jià)格呈上升趨勢,存儲行業(yè)景氣度持續上行。
2018年,存儲大廠(chǎng)開(kāi)始擴產(chǎn)增加供給,同時(shí)手機、服務(wù)器需求逐漸疲軟,存儲價(jià)格滑落,行業(yè)進(jìn)入下行區間。
第三輪周期(2020-2023年):
2020年疫情帶動(dòng)PC、平板電腦、服務(wù)器需求上升,同時(shí)5G催生終端容量增長(cháng),但全球疫情又使得存儲廠(chǎng)商產(chǎn)能供應不足,存儲價(jià)格一路向上,于2022年一季度價(jià)格見(jiàn)頂。
2021年末隨著(zhù)廠(chǎng)商新一輪產(chǎn)能投產(chǎn),全球經(jīng)濟低迷導致下游消費需求疲軟,存儲價(jià)格持續下跌,2022年供需差距拉大導致存儲底部周期拉長(cháng)。
二、存儲進(jìn)入新一輪上行周期
1、供給端:庫存水位趨于正常,資本支出聚焦高端存儲
美光和海力士資本開(kāi)支目前已處低位,三星資本開(kāi)支也有下降預期。
通過(guò)復盤(pán)三大存儲原廠(chǎng)在前三輪存儲周期中的資本開(kāi)支表現,分析師發(fā)現,在每一輪存儲上行周期啟動(dòng)的時(shí)候,三大存儲原廠(chǎng)的資本開(kāi)支或在低點(diǎn)或已經(jīng)經(jīng)歷縮減。同時(shí)可以看到,三大存儲原廠(chǎng)中,美光與海力士資本開(kāi)支基本與存儲周期同頻,三星資本支出相對較高,在最近一輪的下行周期中,仍保持著(zhù)高位運行(逆周期投資)。
目前,美光和海力士的資本開(kāi)支再次來(lái)到了低位,并且三星的資本開(kāi)支也有下降預期,從資本開(kāi)支趨勢來(lái)看,符合上行周期啟動(dòng)特征。
2024年資本開(kāi)支整體預計高于2023年,且主要為支持HBM、DDR5等高端存儲產(chǎn)品,所以存儲芯片整體量產(chǎn)增長(cháng)有限。
從2022年年初開(kāi)始,受需求放緩、庫存高企、價(jià)格競爭加劇等影響,存儲芯片進(jìn)入下行周期,多家存儲廠(chǎng)商減產(chǎn)以降低庫存,并節約資本開(kāi)支。
隨著(zhù)上游廠(chǎng)商減產(chǎn)、智能手機新產(chǎn)品發(fā)布和以ChatGPT為代表的新一代人工智能快速發(fā)展,存儲行業(yè)供需格局得到明顯改善。根據多家存儲大廠(chǎng)發(fā)布的生產(chǎn)指引,存儲廠(chǎng)商2024年資本開(kāi)支整體預計高于2023年,但存儲廠(chǎng)商在HBM、DDR5等高端存儲產(chǎn)品的擴產(chǎn)趨勢明確,且HBM和現有DDR產(chǎn)品相比,HBM尺寸更大、需要底部緩沖芯片,這進(jìn)一步限制了非HBM存儲產(chǎn)品的產(chǎn)量,所以2024年存儲芯片整體量產(chǎn)增長(cháng)有限。
存儲行業(yè)庫存水位趨于正?;?,存儲周期見(jiàn)底信號明確。
隨著(zhù)三大存儲原廠(chǎng)持續降低資本開(kāi)支、減產(chǎn)調節庫存,以控制市場(chǎng)過(guò)剩的供應總量,海外存儲芯片庫存水位正趨于正?;?。同時(shí),國內存儲行業(yè)也出現明顯周期見(jiàn)底信號。
2、需求端:下游市場(chǎng)復蘇+AI需求提振
存儲下游主要應用市場(chǎng)是智能手機、PC和服務(wù)器。
根據華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院的數據,DRAM下游應用主要分布在智能手機、PC和服務(wù)器市場(chǎng);
NAND Flash以應用于手機市場(chǎng)的嵌入式存儲產(chǎn)品、PC SSD、以及企業(yè)級SSD產(chǎn)品為主。
考慮到半導體存儲市場(chǎng)中,DRAM和NAND Flash占據95%以上份額,所以智能手機、PC和服務(wù)器成為存儲終端需求的重要驅動(dòng)力。
下游市場(chǎng)復蘇疊加AI浪潮驅動(dòng),提振存儲需求
新品發(fā)布疊加AI新生態(tài)推動(dòng)智能手機迎來(lái)?yè)Q機潮,預計2024年智能手機市場(chǎng)持續回暖。
根據Wind數據,2023Q3全球智能手機出貨量達到3.03億部,環(huán)比增長(cháng)14.1%,同比增長(cháng)0.3%,這也是8個(gè)季度以來(lái),全球智能手機出貨量首次出現同比增長(cháng),智能手機市場(chǎng)呈現觸底反彈趨勢。
隨著(zhù)多屏、折疊等高端新機型發(fā)布提速,以及AI大模型落地手機端,預計2024年全球智能手機市場(chǎng)復蘇將持續。
根據Counterpoint發(fā)布的《生成式AI智能手機出貨量和洞察》報告預測,2024年將是GenA(I生成式AI)智能手機的關(guān)鍵一年,出貨量將超過(guò)1億部,同時(shí)Canalys預計2024年全球智能手機出貨量將繼續增長(cháng),并以健康的趨勢同比增長(cháng)4%。
由于智能手機滲透率增速放緩,單機容量提升成為智能手機存儲需求增長(cháng)的主要推動(dòng)力。
伴隨移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展,更多應用軟件在智能手機上運行,為保證手機流暢運轉,對手機內存需求也從4BG不斷增加,直至8GB乃至更高。
此外,相機、應用處理器和顯示器的進(jìn)步刺激手機對視頻、圖像等多媒體應用的存儲需求增長(cháng)。根據Counterpoint數據,全球智能手機NAND閃存平均容量在2020年首次突破100GB大關(guān)。隨著(zhù)AI技術(shù)的不斷突破,AI落地智能手機也成為未來(lái)智能手機的一個(gè)重要方向。
而AI大模型在智能手機的應用,也對內存容量提出了更高的要求。
需要運行圖像生成AI的終端側,約需12GB內存,而具備數字AI助手功能的設備,約需20GB內存。
隨著(zhù)智能手機用戶(hù)換機周期的拉長(cháng)和手機高端化的發(fā)展趨勢,用戶(hù)在購買(mǎi)時(shí)必將會(huì )更注重手機存儲配置,因此單機容量提升將成為智能手機存儲需求增長(cháng)的主要推動(dòng)力。
PC去庫存見(jiàn)效,疊加AIPC刺激,預計PC市場(chǎng)逐步復蘇,存儲需求有望提高。
疫情期間居家辦公、網(wǎng)課學(xué)習等需求大幅預支了市場(chǎng)PC需求,渠道庫存較多,從2022年開(kāi)始全球PC出貨量明顯下降,PC市場(chǎng)在連續8個(gè)季度下滑后,于2023年第四季度恢復增長(cháng),可見(jiàn)PC市場(chǎng)經(jīng)過(guò)大幅調整后已經(jīng)觸底。
隨著(zhù)AI浪潮來(lái)襲,預計2024年AI將拓展更多邊緣側應用,包括AI PC等終端裝置。
同時(shí),AIPC有望帶動(dòng)PC平均搭載容量提升。從現有微軟針對AI PC的規格要求來(lái)看,DRAM基本需求為16GB起跳,長(cháng)期來(lái)看,后續伴隨消費者的換機潮,AIPC將有機會(huì )帶動(dòng)PC DRAM的位元需求年增長(cháng)。根據Canalys預計,隨著(zhù)廠(chǎng)商去庫存接近尾聲,需求逐漸恢復,疊加AIPC的推動(dòng),2024年P(guān)C總出貨量將達到2.67億臺,較2023年增長(cháng)8%,存儲需求有望持續提高。
在汽車(chē)自動(dòng)駕駛的驅動(dòng)下,汽車(chē)有望成為增長(cháng)最快的存儲應用市場(chǎng)之一。
自動(dòng)駕駛汽車(chē)需要處理海量數據,這類(lèi)汽車(chē)預計平均每天會(huì )產(chǎn)生20TB的數據。再加上車(chē)載信息娛樂(lè )和ADAS中都需要使用的人工智能(如手勢識別、自然語(yǔ)言處理、計算機視覺(jué)、目標檢測和識別),還有高清顯示屏、自適應巡航控制、語(yǔ)音助手和其他數字化座艙功能,汽車(chē)需要在瞬間整合并分析這些數據,因此對內存和計算的需求也呈指數級增長(cháng)。
根據Yole預測,2021-2027年汽車(chē)存儲市場(chǎng)將從43億美元增加至125億美元,對應年復合增速為20%。盡管汽車(chē)存儲市場(chǎng)占存儲市場(chǎng)不到5%,但其增速遠超行業(yè)平均增速,有望成為增長(cháng)最快的存儲應用市場(chǎng)之一
大模型從單模態(tài)走向多模態(tài),給數據存儲帶來(lái)容量和性能挑戰。
隨著(zhù)大模型的發(fā)展,大模型已經(jīng)從傳統模型的單模態(tài)走向多模態(tài),包含文本、圖片、音頻、視頻等信息,這種變化帶來(lái)了指數級的數據增長(cháng),數據集規模從純文本的TB級別增長(cháng)至PB級別,并且對數據存儲也提出更高的要求。
海量數據尤其PB級的數據,需要更大的存儲容量,同時(shí)在訓練過(guò)程中這些數據寫(xiě)得少、讀得多,還需要更高的吞吐量,以及對的延遲、性能有更高的要求。
AI服務(wù)器出貨量快速增長(cháng),正在抵消通用服務(wù)器迭代的延遲,驅動(dòng)服務(wù)器市場(chǎng)長(cháng)期需求增長(cháng)。
根據Statista數據,2023年全球服務(wù)器出貨量為1381.4萬(wàn)臺,同比上漲1.49%,較前幾年增速明顯放緩,主要是因為超大規模企業(yè)和企業(yè)市場(chǎng)在2023年持續謹慎支出和延長(cháng)服務(wù)器生命周期。
隨著(zhù)人工智能的加速發(fā)展,AI服務(wù)器的需求迎來(lái)快速上升,成為撬動(dòng)服務(wù)器市場(chǎng)的新增長(cháng)點(diǎn)。
在高性能GPU需求推動(dòng)下,HBM目前已經(jīng)成為AI服務(wù)器的搭載標配。
AI大模型的興起催生了海量算力需求,而數據處理量和傳輸速率大幅提升使得AI服務(wù)器對芯片內存容量和傳輸帶寬提出更高要求。
HBM具備高帶寬、高容量、低延時(shí)和低功耗優(yōu)勢,目前已逐步成為AI服務(wù)器中GPU的搭載標配。英偉達推出的多款用于A(yíng)I訓練的芯片A100、H100和H200,都采用了HBM顯存。
HBM供應緊張,訂單量持續攀升,2024年HBM營(yíng)收預期同比大幅增長(cháng)。
HBM相較DDR5同制程與同容量(例如24Gb對比24Gb)尺寸大35%-45%;良率(包含TSV封裝良率)則比起DDR5低約20%-30%;生產(chǎn)周期(包含TSV)較DDR5多1.5-2個(gè)月,整體從投片到產(chǎn)出與封裝完成需要兩個(gè)季度以上。
因此,急需取得充足供貨的買(mǎi)家需要更早鎖定訂單。
單機搭載容量提升或成為2024年存儲市場(chǎng)需求增長(cháng)的主要驅動(dòng)力。
存儲需求增長(cháng)體現在設備出貨增長(cháng)和單機容量增長(cháng),受益于端側AI應用落地以及AI服務(wù)器需求增長(cháng)。根據Trend Force數據,2024年智能手機、服務(wù)器、PC出貨量均有個(gè)位數百分比提升,但DRAM和NAND單機搭載容量提升或成為存儲市場(chǎng)需求增長(cháng)的主要驅動(dòng)力。
根據美光測算,一臺AI服務(wù)器DRAM使用量是普通服務(wù)器8倍,NAND使用量是普通服務(wù)器3倍,而隨著(zhù)智能手機滲透率提升、AIPC和AI手機陸續推出,DRAM和NAND的單機容量也有雙位數以上的增長(cháng)顯著(zhù)。
3、價(jià)格上漲趨勢明確,存儲進(jìn)入新一輪上行周期
DRAM Wafer價(jià)格自2023年9月開(kāi)始觸底反彈,上漲趨勢明顯。
受下游需求疲軟影響,DRAM Wafer價(jià)格自上輪高點(diǎn)(21年7月)下行已持續兩年多,自2022年四季度起,全球存儲芯片大廠(chǎng)三星、海力士、美光、西部數據、鎧俠等紛紛減產(chǎn)去庫存以應對市場(chǎng)疲軟趨勢。
經(jīng)過(guò)2023Q2-Q3磨底后,DRAM Wafer現貨平均價(jià)基本在9月觸底,2023年四季度價(jià)格開(kāi)始持續反彈。
NAND Flash在供給有限且需求大幅增加情況下,晶圓、模組價(jià)格均持續提升。
隨著(zhù)存儲原廠(chǎng)大幅減產(chǎn)控制供給,買(mǎi)方出于對供應將顯著(zhù)減少的預期心理,采購態(tài)度轉趨積極,由三星引領(lǐng)的減產(chǎn)提價(jià)策略初見(jiàn)成效,NAND Flash Wafer價(jià)格自2023年三季度開(kāi)始觸底反彈。
然而2023年下半年除了受傳統旺季帶動(dòng),中國手機品牌又擴大生產(chǎn)目標,短時(shí)間需求涌入,推動(dòng)NAND Flash合約價(jià)格上漲。
上游NAND Flash晶圓價(jià)格被拉高后,由于下游模組廠(chǎng)手中庫存低于正常季節水準,引發(fā)終端搶貨,消費性SSD、存儲卡、手機相關(guān)零部件如eMMC、eMCP也隨之走揚。
DRAM、NAND Flash產(chǎn)品合約價(jià)漲幅樂(lè )觀(guān),2024年第一季度漲勢延續。
由于供應端企業(yè)擴大減產(chǎn)力度,且PC、手機和服務(wù)器等需求恢復,DRAM和NAND Flash產(chǎn)品合約價(jià)在第四季度全面上漲。
2024年存儲行業(yè)進(jìn)入新一輪上行周期,并且存儲漲價(jià)趨勢或將持續更久。
隨著(zhù)存儲行業(yè)庫存水位趨于正?;?,三大存儲原廠(chǎng)資本支出聚焦高端存儲,存儲芯片整體量產(chǎn)增長(cháng)有限,以及存儲下游手機、PC等傳統市場(chǎng)需求復蘇、AI帶來(lái)的服務(wù)器需求催化,存儲供需格局得到明顯改善,存儲價(jià)格自2023年9月份以來(lái)出現明顯上漲趨勢,且漲價(jià)趨勢已經(jīng)持續2個(gè)季度。
從業(yè)績(jì)增速上看,模組廠(chǎng)業(yè)績(jì)向上拐點(diǎn)較原廠(chǎng)領(lǐng)先1-2個(gè)季度。
模組集成環(huán)節處于原廠(chǎng)下游,較原廠(chǎng)更早感受到終端需求的變化,愿意在上行周期背負更多庫存,在下行周期提前砍單。
雖然晶圓價(jià)格或先于模組價(jià)格筑底,但原廠(chǎng)營(yíng)收增速仍需模組廠(chǎng)商以及OEM客戶(hù)相應庫存回歸正常后才會(huì )回暖,故存儲原廠(chǎng)業(yè)績(jì)表現拐點(diǎn)略滯后于模組廠(chǎng)商。
三、長(cháng)期:存儲產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)替代空間大
存儲產(chǎn)業(yè)鏈主要包括存儲晶圓廠(chǎng)、主控芯片廠(chǎng)、封裝測試廠(chǎng)以及存儲模組廠(chǎng)。
存儲產(chǎn)業(yè)鏈上游是原材料和半導體設備,原材料主要以硅片、光刻膠、電子特種氣等為主,半導體設備主要以光刻機、刻蝕設備、檢測與測試設備等等為主。
存儲產(chǎn)業(yè)鏈中游包括制造、封測和集成模組三大環(huán)節,其中,存儲晶圓顆粒是存儲器的核心,存儲產(chǎn)品中的所有數據和信息均存儲在晶圓顆粒中;
封裝測試是將存儲晶圓顆粒和主控芯片封裝在一起,并對整個(gè)存儲器進(jìn)行測試和調試;模組廠(chǎng)將存儲器和其他電子組件組合在一起,形成最終產(chǎn)品。
存儲產(chǎn)業(yè)鏈下游的應用則包括消費電子、信息通信、汽車(chē)電子、物聯(lián)網(wǎng)、高新科技等。
1、存儲芯片:大陸積極布局利基市場(chǎng),長(cháng)鑫長(cháng)存加速?lài)a(chǎn)替代
DRAM和NANDFlash是市場(chǎng)主流存儲方案。
根據Yole,目前市場(chǎng)上除DRAM、NAND Flash、NOR Flash,其他存儲技術(shù)的市場(chǎng)份額合計僅2%,預計到2026年新興的存儲技術(shù),包括PCM、MRAM、RERAM份額仍將不到全市場(chǎng)的1%。
新型存儲發(fā)展方向均是將DRAM的讀寫(xiě)速度與Flash的非易失性結合起來(lái),但目前尚無(wú)方案可替代DRAM和NAND Flash和NAND Flash仍是市場(chǎng)主流存儲方案,占據存儲芯片市場(chǎng)95%以上份額。
海外廠(chǎng)商高度壟斷存儲芯片,我國國產(chǎn)替代空間廣闊。
全球存儲芯片市場(chǎng)被海外企業(yè)高度壟斷,DRAM作為存儲器第一大產(chǎn)品,三星、海力士、美光壟斷了全球96.5%的市場(chǎng)份額,行業(yè)集中度高,寡頭明顯;NAND領(lǐng)域,競爭格局相對DRAM領(lǐng)域較分散,三星、鎧俠、SK海力士、西部數據、美光合計占據95.5%的市場(chǎng)份額。
我國雖然是全球最主要的存儲芯片消費市場(chǎng),但由于產(chǎn)業(yè)起步較晚,市場(chǎng)占有率仍相對較低,國產(chǎn)替代空間廣闊。
隨著(zhù)DRAM迭代升級,高性能、低功耗成為兩大主要發(fā)展趨勢。
以DDR系列產(chǎn)品為例,目前DDR已經(jīng)迭代到第5代,且每一代工作電壓都較前一代有所降低,這意味著(zhù)隨著(zhù)DDR內存技術(shù)的發(fā)展,其能耗、發(fā)熱量會(huì )逐步減小,體現了DRAM低功耗的發(fā)展趨勢;
同時(shí)DDR第1代到第5代的最大顆粒容量和最小傳輸速度均實(shí)現了翻倍增長(cháng),芯片容量的擴大以及傳輸速率的提高,體現了DRAM高性能的發(fā)展趨勢。
處理器升級推動(dòng)DDR5滲透率提升,DDR5內存將在2024年成為主流。
無(wú)論是PC還是服務(wù)器,隨著(zhù)英特爾以及AMD處理器的相繼發(fā)布,DDR5滲透率快速提升。
大陸廠(chǎng)商積極布局利基市場(chǎng),海外廠(chǎng)商持續退出,國產(chǎn)廠(chǎng)商有望迎來(lái)成長(cháng)機會(huì )。
存儲市場(chǎng)產(chǎn)品迭代不斷,按市場(chǎng)流行程度分為主流產(chǎn)品和利基產(chǎn)品,利基產(chǎn)品一般是從主流規格中退役的產(chǎn)品,目前市場(chǎng)主流DRAM包括8Gb以上的DDR4、DDR5顆粒,利基DRAM包括DDR3及部分DDR4顆粒,主流NAND包括SLCNAND、MLC/TLC NAND<=4GB,主流NAND包括MLC/TLCNAND>4GB。
國產(chǎn)廠(chǎng)商兆易創(chuàng )新、北京君正、東芯股份等積極布局利基市場(chǎng),分析師認為國產(chǎn)廠(chǎng)商有望在利基市場(chǎng)復制2016-2017年NORFlash產(chǎn)業(yè)進(jìn)階路徑并實(shí)現受益。
DRAM工藝制程已經(jīng)縮小到15nm以下,并不斷向10nm逼近。
對DRAM芯片而言,先進(jìn)制程意味著(zhù)高能效與高容量,以及更好的終端使用體驗。DRAM工藝制程發(fā)展迅猛,三星、SK海力士、美光作為DRAM領(lǐng)域的龍頭企業(yè),三家企業(yè)在16-17年進(jìn)入1x(16-19nm)階段,18-19年邁進(jìn)1y(14-16nm)階段,20年后進(jìn)入1z(12-14nm)階段。當前DRAM先進(jìn)制程工藝——10nm級別,經(jīng)歷了1x、1y、1z與1α四代技術(shù),目前來(lái)到了第五代,美光稱(chēng)之為1β DRAM,三星稱(chēng)之為1b DRAM。
NAND Flash進(jìn)入立體堆疊時(shí)代,3DNAND成為主流技術(shù)趨勢。
3D NAND Flash目前已經(jīng)突破200層,三星第8代V-NAND層數達到了236層;美光232層NAND Flash已經(jīng)量產(chǎn)出貨;鎧俠和西部數據共同推出218層3D NAND閃存,已開(kāi)始為部分客戶(hù)提供樣品;海力士開(kāi)發(fā)出世界最高238層4D NAND閃存。
未來(lái)存儲廠(chǎng)商將持續發(fā)力更高層數NAND Flash,美光計劃推出2YY、3XX與4XX等更高層數產(chǎn)品;鎧俠與西部數據也在積極探索300層以上的3D NAND技術(shù);三星則計劃2024年推出第九代3D NAND(有望達到280層),2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達到430層)。
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