臺積電宣布設12英寸南京廠(chǎng)，三年后量產(chǎn)16nm

2018年量產(chǎn)目前最先進(jìn)的16nm，誠意夠嗎？

據臺媒報道，臺積電將在江蘇省南京市設立12寸晶圓廠(chǎng)與設計服務(wù)中心，預計投資總額將達到30億美元。目前，臺積電已正式向臺灣“投審會(huì )”遞件申請赴大陸設廠(chǎng)。與此同時(shí)，臺灣經(jīng)濟部投審會(huì )也表示，臺積電文件補齊后，政府會(huì )在兩個(gè)月內核準該建廠(chǎng)計劃。

據悉，此座晶圓廠(chǎng)規劃的月產(chǎn)能為2萬(wàn)片12寸晶圓，預計于2018年下半年量產(chǎn)16nm制程，后續產(chǎn)能將會(huì )擴到4萬(wàn)片。不過(guò)，細心的讀者會(huì )發(fā)現雖然16nm目前屬于最先進(jìn)的工藝之一。但是等到該廠(chǎng)建成并量產(chǎn)已經(jīng)是三年后，屆時(shí)臺積電的10nm甚至是7nm都已問(wèn)世，為什么只提到16nm呢？

這與臺灣的政策有關(guān)。事實(shí)上，很早就有臺積電計劃在大陸建立一座12英寸晶圓廠(chǎng)的傳言。不過(guò)當時(shí)受限于臺灣政府只允許半導體“參股”和“并購”的法規，此計劃一直沒(méi)有落實(shí)。今年8月份雖然“獨資”登陸政策松綁，但臺灣當局也設下不從臺灣搬錢(qián)、技術(shù)落后臺灣一個(gè)世代以上、臺灣不得裁員、對臺灣也要有相應投資等四大防護網(wǎng)，破除外界“掏空臺灣”的疑慮。

也就是說(shuō)，雖然臺灣政府放寬了12英寸臺廠(chǎng)進(jìn)入大陸的條件，但是前提是大陸新設的工廠(chǎng)須與臺灣至少保持“N-1”代的技術(shù)落差，臺積電的“N－2”策略處于安全區。

臺積電難道不擔心16nm會(huì )失去競爭力嗎？臺積電規劃以“N－2”代的工藝來(lái)建廠(chǎng)不無(wú)道理。目前中國大陸本土的晶圓廠(chǎng)進(jìn)度的確落后于臺灣，比如中芯國際可能在2018年剛剛量產(chǎn)14nm FinFET，臺積電南京廠(chǎng)依然在大陸有一定的優(yōu)勢。

顯然，大陸想要在半導體制造業(yè)處于領(lǐng)先地位必須自己奮起直追。

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