英特爾研發(fā)周期放緩，將在5年內被臺積電反超

按照當前趨勢，臺積電的戰略規劃將死死壓制住英特爾。

去年，臺積電在16/14nm工藝競爭中遠遠落后于競爭對手，并被外界質(zhì)疑其半導體代工一哥位置將被撼動(dòng)。然而事實(shí)并非如此，臺積電知恥后勇，計劃在2020上半年推出5nm技術(shù)芯片，這是要反超Intel的節奏！

一、摩爾定律失效，研發(fā)周期放緩

據報道，Intel計劃將在2017年才會(huì )發(fā)布10nm制程芯片，取代自2015年延續至今的14nm級芯片。按照目前的消息，第七代微處理器架構Kaby Lake計劃將于今年年末時(shí)候推出，這也將是最后一代14nm制程的芯片。如果10nm制程仍將效仿14nm制程沿用三代，則2017年到2019年，Intel將放緩研發(fā)周期，停留在量產(chǎn)10nm級芯片階段。目前，Intel已經(jīng)在積極推進(jìn)10nm芯片工藝的生產(chǎn)開(kāi)發(fā)進(jìn)度，以保證能夠在2017年準時(shí)推出Cannon Lake系列芯片。

隨著(zhù)工藝難度的逐年提升，Tick-Tock的周期現在已經(jīng)從兩年延長(cháng)到了2.5年。在Broadwell之前，Intel一直嚴格遵循Tick-Tock發(fā)展戰略周期，每一次“Tick”代表著(zhù)微處理器架構的芯片制程得到提升；而每一次“Tock”則代表著(zhù)在新一代芯片制程的基礎上，對微處理器的架構進(jìn)行升級。

二、Intel在Tick-Tock中再加入一個(gè)“Tock”

在業(yè)界大呼摩爾定律失效時(shí)，Intel卻試圖在Tick-Tock中再加入一個(gè)“Tock”（semi-Tock），表示并非一次巨大的微架構更新。比如2014年推出14nm工藝的Broadwell為T(mén)ick，則其后兩年分別推出的相同制程的Sky Lake以及Kaby Lake為T(mén)ock。

按照這個(gè)新規律，2017推出的10nm工藝的Cannon Lake為T(mén)ick，其后2018年、2019年分別推出的相同制程的Ice Lake以及Tiger Lake為T(mén)ock。2020推出7nm工藝的TBD 為T(mén)ick，而2021年推出相同制程的TBD為T(mén)ock。

在10nm工藝節點(diǎn)上，Tiger Lake架構將成為Intel的第二次“Tock”。“Tiger Lake”這一代號雖然在此前的報道中從未被提及過(guò)，但這表明了Intel在10nm的工藝節點(diǎn)上也將沿用三代。

三、Intel未打算舍棄FIVR技術(shù)

值得一提，10nm制程上，Intel將重新引入曾受詬病的FIVR技術(shù)（全集成式電壓調節模塊）。 理論上，雖然內置FIVR會(huì )增加部分芯片面積，但對電壓的控制會(huì )更加精確，從而實(shí)現更加省電，但這一點(diǎn)在Haswell上卻并沒(méi)有得到體現——由于加入了FIVR，TDP（熱設計功耗）非但沒(méi)有下降，反而從前代的77W進(jìn)一步增加到了84W。盡管如此，Intel并沒(méi)有打算舍棄FIVR技術(shù)。

四、Intel可能被臺積電超越

如果以上消息屬實(shí)，Intel放慢研發(fā)周期后，臺積電“在2017年達到7nm技術(shù)節點(diǎn)，2020年達到5nm的技術(shù)節點(diǎn)”的戰略規劃將死死壓制住競爭對手，一洗雪恥。

Intel官方表示，如果在5nm節點(diǎn)上硅仍然是一個(gè)可行的微處理器材料，那么Intel將于2020年開(kāi)始研發(fā)5nm制程的芯片，我們最早將在2022年才能見(jiàn)到這一芯片。然而，這個(gè)前提很難在可替代原材料層出不窮的時(shí)代一直成立。比如，碳納米管就是有望代替硅成為新一代芯片原材料的物質(zhì)之一。

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