高通Snapdragon 820“快速前進(jìn)”

Snapdragon 820將提高快速充電技術(shù)和支持更快的LTE連接。

高通公司已經(jīng)發(fā)布了關(guān)于其即將推出的新的處理器Snapdragon 820的諸多細節，預計它將出現在2016年的旗艦級手機上，提高快速充電技術(shù)和支持更快的LTE連接。

整合X12 LTE modem的高通Snapdragon 820處理器，LTE Advanced速度下行Cat 12最高傳輸速率達600Mbps，上行Cat 13最高傳輸速率達150Mbps。隨4K影音、虛擬實(shí)境、認知運算技術(shù)快速演進(jìn)，為消費者提供速度和頻寬，從而創(chuàng )造更強大的移動(dòng)體驗。

高通Snapdragon 820還有一個(gè)功能是未授權頻譜上的突破性的連網(wǎng)支持，多千兆比特802.11ad。

64位處理器可以改善充電效率，畢竟如今移動(dòng)設備快速發(fā)展的方向充電領(lǐng)域不可或缺，隨著(zhù)Galaxy Note 5和edge+無(wú)線(xiàn)充電的快速發(fā)展，這個(gè)領(lǐng)域也是三星近年來(lái)關(guān)注的重點(diǎn)，英特爾也一直致力于與即將推出的磁共振技術(shù)。

毫無(wú)疑問(wèn)快速充電也是高通關(guān)注的重點(diǎn)，它推出的 Quick Charge 3.0將使得充電速度提升，35分鐘即可從完全沒(méi)電狀態(tài)充電至80%，目前的Quick Charge 2.0對應不同的手機充電效率各不相同，例如去年的Galaxy Note 4用大約35分鐘可充電50%。

Quick Charge3.0采用了一種新算法，可以精準算出移動(dòng)設備所需電壓從而優(yōu)化過(guò)程，高通稱(chēng)，Quick Charge3.0與Quick Charge2.0相比功耗降低高達45%。

讓我們一起期待未來(lái)的2016年Snapdragon 820出現在更多的高端設備上吧。

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