臺積電2nm芯片技術(shù)實(shí)現突破，預計2024年實(shí)現量產(chǎn)

臺積電董事長(cháng)劉德音也表示，計劃擴建工廠(chǎng)提升2nm芯片的產(chǎn)能。

據最新報道，臺積電在2nm芯片技術(shù)上取得了重大突破，雖然目前尚未透露具體細節。但有消息稱(chēng)，2nm工藝有望在2023年下半年進(jìn)行風(fēng)險性實(shí)驗，并于2024年進(jìn)入量產(chǎn)階段。

臺積電還表示，2nm的突破將再次拉大與競爭對手的差距，并繼續推進(jìn)1nm工藝的研發(fā)。

預計到時(shí)候蘋(píng)果、高通、英偉達、AMD等客戶(hù)有望率先采用其2nm工藝。

據悉臺積電2nm將會(huì )采用多橋通道場(chǎng)效晶體管 (MBCFET)架構，這一架構有助于克服鰭式場(chǎng)效晶體管 (FinFET)架構因制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問(wèn)題。臺積電在2nm制程上采用這一工藝架構，將有助于提高2nm的生產(chǎn)能力。

目前三星已經(jīng)在5nm工藝的研發(fā)上投入了約4.8億美元，3nm砷化鎵場(chǎng)效應管的研發(fā)將大大超過(guò)5億美元。雖然臺積電很少披露具體工藝節點(diǎn)的投資數字，但我們可以想象。臺積電此前曾表示，其2納米技術(shù)的研發(fā)和生產(chǎn)將在保山和新竹進(jìn)行，同時(shí)還進(jìn)一步指出，它正計劃擁有四個(gè)超大型晶圓廠(chǎng)，占地222英畝。

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