籌資千億，中芯國際、武漢新芯要撐起國產(chǎn)存儲芯片大旗

國內存儲芯片與三星、美光、東芝、海力士還有多大的差距？

7月3日消息，近日，調研機構TrendForce發(fā)布了一份報告，報告顯示武漢新芯集成電路制造有限公司被中國政府選為存儲芯片產(chǎn)業(yè)的首要重點(diǎn)區域，未來(lái)將籌資240億美元來(lái)打造中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)基地。

據知情人士透露，本次募資將由國家大基金領(lǐng)投，中芯國際、湖北省，以及一些社會(huì )資本也將參與投資。如此一來(lái)，中芯國際和武漢新芯將組建一支有競爭力的國家存儲芯片陣容。

實(shí)際上，在2014年6月國務(wù)院印發(fā)《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》后，國內CPU大軍都通過(guò)政府或外資的注入得到了跨越式的發(fā)展。但是在這期間，存儲芯片依舊沒(méi)有得到明顯改善。根據市場(chǎng)分析，中國存儲芯片幾乎全部來(lái)自進(jìn)口。

該知情人士還表示，在聯(lián)合各地政府、新芯以及中芯國際后，未來(lái)有望與三星、美光、東芝、海力士等存儲巨頭抗衡。原本負責在北京籌建存儲基地的中心國際首席運營(yíng)官趙海軍，將擔任領(lǐng)軍者。

目前，武漢新芯存儲芯片的最大單月產(chǎn)能為6萬(wàn)-7萬(wàn)片，但是其N(xiāo)OR Flash實(shí)際月產(chǎn)能僅為2萬(wàn)片左右，還未達到贏(yíng)利點(diǎn)。好在今年2月與存儲芯片公司Spansion達成合作，將聯(lián)手開(kāi)發(fā)與生產(chǎn)3D NAND閃存技術(shù)，首款合作產(chǎn)品將在2017年問(wèn)世。

此外，中芯國際與武漢新芯還有可能進(jìn)一步實(shí)行收購計劃，以進(jìn)一步提升中國存儲芯片實(shí)力。

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