臺積電、ARM等聯(lián)手打造全球首款7nm芯片，2018年下半年出貨

屆時(shí)他們制造一類(lèi)似CCIX的測試芯片。

最新消息顯示，半導體大廠(chǎng)臺積電計劃聯(lián)合ARM、Xilinx、Cadence共同打造全球首個(gè)基于7nm工藝的芯片，屆時(shí)他們將采用7nm FinFET工藝，制造一類(lèi)似CCIX（緩存一致性互聯(lián)加速器）測試芯片，等到明年第一季度會(huì )完成流片，2018年下半年開(kāi)始出貨。

據了解，這種CCIX芯片可以快速在各元件端順利存取和處理資料，不受限于資料存放的位置以及復雜的程式開(kāi)發(fā)環(huán)境。能夠實(shí)現全程在記憶體內運行的資料庫做處理、影像分析、網(wǎng)路處理等應用。

同時(shí)，這款測試芯片基于A(yíng)RM v8.2計算核心，擁有DynamIQ、CMN-600互連總線(xiàn)，可支持異構多核心CPU。

說(shuō)到7nm工藝，三星也準備在明年正式開(kāi)始出貨7nm LPP，而臺積電這次合作推出的基于7nm工藝測試芯片，既是為了讓自己和三星競爭不處于下風(fēng)，也是他們發(fā)展的一個(gè)重要節點(diǎn)。

7nm工藝可滿(mǎn)足從高性能到低功耗的各種應用領(lǐng)域，第一個(gè)版本CLN 7FF保證能夠把功耗降低60％、核心面積縮小70％。等到2019年的時(shí)候，他們則將退出更高級的CLN 7FF+版本，融入EUV極紫外光刻，進(jìn)一步提升晶體管集成度、能效和良品率。

而測試芯片的推出，對于各方也是利事，可以試驗臺積電的新工藝，也便于驗證多核心ARM CPU和片外FPGA加速器協(xié)作的能力。

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