國內首顆自研嵌入式40nm工規級存儲芯片震撼發(fā)布，打破國產(chǎn)率為零現狀

江蘇華存真正意義上的實(shí)現了嵌入式存儲的國產(chǎn)國造，創(chuàng )下了移動(dòng)存儲中國芯的一個(gè)里程碑。

2018年11月21日，中國·南京 ICTECH 2018中國存儲芯片自主研發(fā)技術(shù)交流峰會(huì )在南京舉行。作為南通市第一家高階存儲產(chǎn)品主控設計公司——江蘇華存電子科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“江蘇華存”），會(huì )上發(fā)布了國內自研第一顆嵌入式40納米工規級存儲芯片HC5001及應用存儲解決方案。

ICTECH 2018中國存儲芯片自主研發(fā)技術(shù)交流峰會(huì )是由南通國家高新區和江蘇華存電子科技有限公司主辦，IC咖啡承辦。本次研討會(huì )旨在討論集成電路國產(chǎn)化的現狀與發(fā)展，存儲芯片自主研發(fā)的技術(shù)瓶頸與突破，及存儲產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)國造安全可靠的未來(lái)前景。

江蘇省科學(xué)技術(shù)廳副廳長(cháng)蔣洪先生、南通市通州區委常委，南通高新區黨工委副書(shū)記張興國先生為本次大會(huì )做了精彩致辭?；蹣s科技SMI資深副總段喜亭、京元電子集團CEO劉安炫、清控資產(chǎn)管理集團總裁薛嘉麟、中芯國際SMIC資深業(yè)務(wù)總監胡照林、手機中國聯(lián)盟秘書(shū)長(cháng)王艷輝等行業(yè)大咖，在會(huì )上圍繞存儲芯片自主研發(fā)、市場(chǎng)趨勢、產(chǎn)業(yè)發(fā)展等做了精彩分享。江蘇華存主控設計事業(yè)部總經(jīng)理魏智汎以及方案驗證設計處副總經(jīng)理莊建民向現場(chǎng)的嘉賓、領(lǐng)導以及合作伙伴就存儲芯片自主設計、內存方案設計驗證與挑戰進(jìn)行深度解析。

“我們看見(jiàn)中國市場(chǎng)在人工智能及物聯(lián)網(wǎng)與互聯(lián)網(wǎng)的極速發(fā)展，面對5G時(shí)代來(lái)臨，數據數據急速增加，存儲需求相對也急速增加。”慧榮科技SMI資深副總段喜亭表示。他認為，存儲應用的增長(cháng)點(diǎn)已經(jīng)從智能手機、平板計算機等消費類(lèi)電子擴展到互聯(lián)網(wǎng)、人工智能、云計算、安防領(lǐng)域，技術(shù)要求也越來(lái)越嚴苛。同時(shí)他相信隨著(zhù)中國閃存存儲技術(shù)已漸趨成熟，作為全球閃存主控領(lǐng)導廠(chǎng)商也期待著(zhù)中國存儲芯產(chǎn)業(yè)的廠(chǎng)商能與世界快速接軌。

一款芯片的上市離不開(kāi)半導體產(chǎn)業(yè)上下游設計、制造、封裝、測試等產(chǎn)業(yè)的緊密配合。專(zhuān)業(yè)測試公司京元電子集團作為華存的緊密的合作伙伴代表出席此次會(huì )議，京元電子集團CEO劉安炫表示，eMMC高階存儲主控在國內是空白一片，華存為此提供了重大貢獻。京元電子始終緊密與華存合作，共同克服困難。

清控資產(chǎn)管理集團總裁薛嘉麟認為，無(wú)論是DRAM，還是NAND Flash，都屬于集成電路領(lǐng)域的大宗商品，產(chǎn)業(yè)對于存儲器的需求是穩定的，盡管目前整個(gè)半導體行業(yè)進(jìn)入下行周期，存儲器的增長(cháng)也不比前幾年有所放緩，但存儲器主控芯片的進(jìn)口替代需求依然十分強烈。他表示：“華存電子經(jīng)過(guò)在這方面的多年積累，已經(jīng)蓄勢待發(fā)，力爭在市場(chǎng)上奪得優(yōu)勢的競爭地位。”

會(huì )上華存主控設計事業(yè)部總經(jīng)理魏智汎以存儲芯片自主設計為主題進(jìn)行專(zhuān)題演講，除了介紹國內集成電路與存儲芯片的現況外, 還闡述了企業(yè)如何邁向自主研發(fā)以及自主研發(fā)能力對存儲產(chǎn)業(yè)的重要性。他分享了華存選擇以eMMC為起點(diǎn), 如何開(kāi)發(fā)出國產(chǎn)國造eMMC的存儲主控芯片,并延伸至其企業(yè)愿景和使命。

中芯國際SMIC資深業(yè)務(wù)總監胡照林表示，SMIC目前為國內最大的芯片制造龍頭, 面對未來(lái)新時(shí)代所造就的新機遇, SMIC如何在未來(lái)增長(cháng)的重要應用上，提前進(jìn)行戰略聯(lián)盟與平臺布局, 以持續的技術(shù)創(chuàng )新，來(lái)全力支持國內的芯片設計業(yè), 共同把握大中國市場(chǎng)的機遇, 一同邁向未來(lái)。

在閃存芯片設計和方案驗證方面也存在很多挑戰。華存方案驗證設計處副總經(jīng)理莊建民表示，現今大容量存儲產(chǎn)品的需求，已從傳統的磁盤(pán)存除裝置轉為閃存存除裝置，已不只是單純的容量需求而是同時(shí)要考慮產(chǎn)品的傳輸速度與穩定性，傳輸接口從低速的并列傳輸轉為高速的串列類(lèi)比傳輸，閃存速度同時(shí)也是倍數的增加，同時(shí)要兼具著(zhù)低功耗高穩定性的表現，此時(shí)方案設計更為困難，而主控設計與其相關(guān)的方案設計驗證更需要搭配的更完善。

自主研發(fā)芯片的大力發(fā)展，快速同世界接軌。離不開(kāi)國家政策和產(chǎn)業(yè)基礎等有利條件，當然也要緊緊緊抓住中國IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展的機會(huì )。手機中國聯(lián)盟秘書(shū)長(cháng)王艷輝認為，中國是全球最大的制造基地，相比其它國家，中國賦予了集成電路創(chuàng )業(yè)公司更多的機會(huì )，這也是中國集成電路特別是IC設計產(chǎn)業(yè)發(fā)展壯大的基礎，希望產(chǎn)業(yè)能夠抓住這一波產(chǎn)業(yè)升級機會(huì )。

圖 | 江蘇華存主控芯片HC5001應用方案

此次江蘇華存發(fā)布的主控芯片HC5001兼具高兼容性和高穩定度，支持第5.1版內嵌式存儲器標淮(eMMC5.1)、支持立體結構閃存材料(3D TLC NAND Flash)、支持隨機讀出寫(xiě)入閃存高穩定度效能算法（FTL）、支持高速閃存接口（ONFI3.2/ToggIe2.0）、支持高可靠度低密度奇偶校驗碼糾錯驗算法(LDPC)，以及40nm工藝制程滿(mǎn)足了高效能低功耗工規級別eMMC嵌入式存儲裝置需求。

隨著(zhù)納米微縮制程的不斷提升，存儲產(chǎn)品需要持續保持擦寫(xiě)壽命延長(cháng)，出錯概率變低，讀寫(xiě)速度變快，穩定性變強離不開(kāi)兼容的存儲控制芯片的強勁表現。近年來(lái)，電子設備便攜化、輕便化浪潮席卷市場(chǎng)，平板電腦、智能手機、智慧電視、可穿戴設備、機器人、AR/VR、電動(dòng)汽車(chē)等新興應用市場(chǎng)需求在全球熱潮來(lái)襲，嵌入式存儲eMMC裝置硬盤(pán)即應運而生，這也對存儲裝置提出了更高的要求

像多媒體播放、高清攝像、GPS，各色各樣的應用以及外觀(guān)輕薄小巧的發(fā)展趨勢。要求存儲裝置擁有高容量、高穩定性和高讀寫(xiě)速度的同時(shí)，需要存儲裝置必須在主板中占有更小的空間。從2014年嵌入式存儲eMMC裝置硬盤(pán)的第5.1版規格公布以來(lái)，eMMC裝置硬盤(pán)在2017年已經(jīng)占據消費型移動(dòng)存儲市場(chǎng)超過(guò)90%的規模，全部為美日韓廠(chǎng)商所壟斷，江蘇華存成功完成了國產(chǎn)率為零的突破，真正意義上的實(shí)現了嵌入式存儲的國產(chǎn)國造，創(chuàng )下了移動(dòng)存儲中國芯的一個(gè)里程碑。

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