“危機”的韓國半導體，終于迎來(lái)曙光

……了嗎？

當地時(shí)間10月9日，韓國總統辦公室通報，美國商務(wù)部已經(jīng)同意向三星電子和SK海力士位于中國的晶圓廠(chǎng)提供“無(wú)限期豁免”，即美國供應商無(wú)需任何許可，就可向三星和SK在中國的晶圓廠(chǎng)供應半導體設備。

這無(wú)疑是給韓國企業(yè)半導體業(yè)務(wù)在華市場(chǎng)續了一口氣，堪稱(chēng)“雪中送炭”。

隨著(zhù)此次兩家企業(yè)在華工廠(chǎng)成功獲得“無(wú)限期豁免”，也意味著(zhù)未來(lái)三星、SK海力士在華工廠(chǎng)將可以繼續升級和擴產(chǎn)，原有的不確定性被大大消除。

有相關(guān)業(yè)內人士表示，此舉勢必會(huì )讓三星和SK海力士加大產(chǎn)能，而為了重新?lián)寠Z市場(chǎng)，雙方可能會(huì )進(jìn)一步在中國市場(chǎng)開(kāi)打價(jià)格戰。

然而，分析目前半導體行業(yè)，尤其是兩家都有的存儲芯片業(yè)務(wù)的現狀，不難發(fā)現，這個(gè)“炭”“送”晚了。

存儲市場(chǎng)長(cháng)期大跌，明年還將供應短缺

存儲芯片歷來(lái)是韓國半導體產(chǎn)業(yè)的支柱，三星和SK海力士?jì)杉叶际谴鎯I(yè)巨頭，其中三星電子在DRAM和NAND領(lǐng)域的市占率都位居第一，SK海力士在DRAM領(lǐng)域排名第二，在NAND領(lǐng)域排名第三。

（圖源：SK海力士）

根據世界半導體市場(chǎng)統計（WSTS），2022年全球存儲器市場(chǎng)規模為1298億美元，其中DRAM占778億美元，NAND Flash占471億美元。作為行業(yè)的龍頭，說(shuō)這兩家分走了其中絕大部分也不為過(guò)。

DRAM和NAND閃存的主要應用場(chǎng)景都是PC、智能手機和數據中心，用戶(hù)非常相似。而因為“硅周期”的行業(yè)下行趨勢，加之國內廠(chǎng)商的快速擴產(chǎn)替代（后面會(huì )提到）。上述這些市場(chǎng)的需求持續萎縮，截至目前，存儲市場(chǎng)下行周期已經(jīng)連跌8個(gè)季度，接近存儲市場(chǎng)下行周期歷史最長(cháng)時(shí)間。

兩家韓國企業(yè)的日子自然也不好過(guò)。

根據數據顯示，2023年前兩個(gè)月，三星的存儲芯片業(yè)務(wù)就已經(jīng)虧損了3萬(wàn)億韓元，約合23億美元。對三星來(lái)說(shuō)，還不算傷筋動(dòng)骨，畢竟有半導體代工等一系列其他業(yè)務(wù)。

但“只把雞蛋放在一個(gè)籃子里”的SK海力士就相對難受了。雖然由于HBM3產(chǎn)品在人工智能加速卡領(lǐng)域吃下了過(guò)半份額，但整體存儲芯片業(yè)務(wù)的虧損可謂巨大。

（圖源：SK海力士）

根據7月底SK海力士公布的2023年Q2財報顯示，第二季度營(yíng)收為7.3059萬(wàn)億韓元，同比下滑47%；營(yíng)業(yè)虧損額達2.8821萬(wàn)億韓元，雖然已經(jīng)比上一季度好了15%，但同比依舊是虧；凈虧損額達2.9879萬(wàn)億韓元，環(huán)比下滑16%。

伴隨虧損而來(lái)的，是各家的大幅減產(chǎn)。

SK海力士財報顯示，自2023上半年以來(lái)，多數存儲芯片制造商都已經(jīng)相繼減產(chǎn)，以求盡快去庫存?，F階段，NAND Flash的庫存去化速度相比DRAM更慢，因此SK海力士還會(huì )擴大對于NAND Flash的減產(chǎn)幅度。

三星這邊則啟動(dòng)了2024年大規模半導體需求調查，分析了主要客戶(hù)的存儲庫存現狀。三星特別工作組將根據調查結果決定是否繼續減產(chǎn)，在調查后表示，預計從Q4開(kāi)始，市場(chǎng)供需就會(huì )改善，明年可能出現供應短缺，價(jià)格上漲。

美國出口限制“誤傷”韓國半導體

美國近年持續限制國內半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，先是收緊芯片貿易政策，又提出了設備出口限制等等。

而一系列限制舉措之下，反而傷到了日韓半導體產(chǎn)業(yè)。

早在2005年，SK海力士DRAM產(chǎn)線(xiàn)就落戶(hù)無(wú)錫，此后多輪增資，累計投資額超200億美元。據市場(chǎng)調研機構TrendForce集邦咨詢(xún)2022年的報告，該工廠(chǎng)產(chǎn)能約占全球DRAM總產(chǎn)能的13%；SK海力士在2020年還購得了英特爾包括大連工廠(chǎng)在內的NAND業(yè)務(wù)，并將于2025年完成全部交割，該廠(chǎng)產(chǎn)能約占全球NAND總產(chǎn)能的9%。

而三星則選擇了西安，一期二期工廠(chǎng)項目自2012年開(kāi)始建設，累計投入近260億美元。據悉，西安工廠(chǎng)在三星全球NAND總產(chǎn)能中占比約四成，約占全球NAND總產(chǎn)能的17%。

在供給限制下的工廠(chǎng)產(chǎn)能降低，不僅讓兩家公司的產(chǎn)品技術(shù)優(yōu)勢縮小，還損失了在華的龐大市場(chǎng)和利潤。

另一方面，國內廠(chǎng)商的國產(chǎn)替代方案正在加速落地。

此前，國外行業(yè)研究機構yolegroup對長(cháng)江存儲的232層閃存顆粒進(jìn)行了拆解分析。他們發(fā)現，長(cháng)江存儲的顆粒采用了雙層設計，即通過(guò)Xtacking技術(shù)，將雙層晶圓疊放在一起。這樣做雖然有良率低、成本高的問(wèn)題，但卻繞過(guò)了對被限制的先進(jìn)工藝、工具的依賴(lài)。

（圖源：yolegroup）

這種以“過(guò)時(shí)的”工藝技術(shù)實(shí)現另辟蹊徑方案的邏輯，被yolegroup譽(yù)為“意想不到的技術(shù)突破”。

在這樣的突破之下，一味封鎖自然意義不大。因而才有了開(kāi)頭提到的“無(wú)限期豁免”。只是在國產(chǎn)替代已經(jīng)成型的現在，這塊“炭”送得還是有些晚了。

寫(xiě)在最后

存儲芯片行業(yè)素來(lái)有一個(gè)有趣的梗：每當出現產(chǎn)能過(guò)剩，存儲產(chǎn)品價(jià)格下降的趨勢時(shí)，各家廠(chǎng)商總會(huì )出現“產(chǎn)線(xiàn)停電”、“工廠(chǎng)失火”這樣的意外情況，從而“被迫減產(chǎn)”。

（圖源：快科技）

但自打國產(chǎn)品牌的存儲、主控芯片推出以來(lái)，就很少再出現類(lèi)似的新聞了。長(cháng)江存儲因而被賦予了“長(cháng)江消防”的美稱(chēng)。

本文作者：Visssom，觀(guān)點(diǎn)僅代表個(gè)人，題圖源：pixabay

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