反擊，臺積電正式控告格芯，并尋求實(shí)質(zhì)性的損害賠償

臺積電已在美國、德國及新加坡分別對格芯提出訴訟，控告格芯侵犯其25項專(zhuān)利。

針對此前美國芯片制造商格芯控告臺積電專(zhuān)利侵權一事，臺積電正式發(fā)布公告稱(chēng)，已就此事展開(kāi)反擊，在美國、德國及新加坡分別對格芯提出訴訟，控告格芯侵犯了臺積電25項專(zhuān)利。

除此之外，臺積電還提出法院應核發(fā)禁制令，禁止格芯生產(chǎn)及銷(xiāo)售侵權的半導體產(chǎn)品，并對該公司尋求實(shí)質(zhì)性的損害賠償。

據了解，臺積電所提及的25項專(zhuān)利，其中涉及40nm、28nm、22nm、14nm及12nm等芯片制程等多項技術(shù)，如FinFET設計、淺溝槽隔離技術(shù)、雙重曝光方法、先進(jìn)密封環(huán)與門(mén)極結構，以及創(chuàng )新的接觸蝕刻停止層設計，而這些技術(shù)都是當前全球領(lǐng)先的半導體制程中的核心技術(shù)。

臺積電副總經(jīng)理暨法務(wù)長(cháng)方淑華表示，“此次提出法律訴訟是為了保護臺積電的聲譽(yù)、我們的客戶(hù)和全球消費者，以確保先進(jìn)半導體技術(shù)能夠更好的應用于智能手機、5G、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域及產(chǎn)品中，對保護公共利益極為重要。”

格芯是全球第三大晶圓代工廠(chǎng)，前不久，該公司在美國及德國法院控告臺積電及其客戶(hù)侵犯其16項專(zhuān)利技術(shù)，美國國際貿易委員也因此對臺積電展開(kāi)了調查。針對這一調查，臺積電方面曾強調稱(chēng)，“格芯指控侵權毫無(wú)根據，且對這種不以技術(shù)做為競爭手段，而是訴諸毫無(wú)根據的法律訴訟的行為感到失望。”

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