2.5億/mm2，臺積電公布3nm工藝細節，晶體管密度是7nm的3.6倍

臺積電3nm工藝首選FinFET晶體管技術(shù)。

臺積電3nm工藝晶體管密度達到了2.5億/mm²。

繼公布2020年第一季度財報，凈利潤遠高于去年同期后，臺積電又公開(kāi)了自研最新3nm工藝的細節：晶體管密度達2.5億/mm²，是7nm工藝的3.6倍，可將奔騰4處理器縮小到普通針頭大小。

基于如此高的晶體管密度，臺積電3nm工藝的整體性能也較前幾代工藝有了很大程度的提升，較7nm工藝性能提升15%，能耗提升30%；較5nm工藝性能提升7%，能耗提升15%。

根據臺積電公布的今年一季度財報，在制程工藝上，7nm工藝營(yíng)收占總營(yíng)收的35%，10nm工藝占營(yíng)收的0.5%，16nm工藝占總營(yíng)收的19%，可見(jiàn)當前先進(jìn)工藝是臺積電營(yíng)收的重要組成部分。

而在公布財報后的電話(huà)會(huì )議上，臺積電也透露，3nm工藝研發(fā)進(jìn)程沒(méi)有受到疫情影響，依舊首選成本和能效都上佳的FinFET晶體管技術(shù)，并且將持續投入，預計在2021年進(jìn)入風(fēng)險試產(chǎn)階段，2022年下半年量產(chǎn)。

與此同時(shí)，同樣在3nm工藝上持續投入的三星也正積極推動(dòng)該工藝量產(chǎn)，不過(guò)它們選擇的是GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，可見(jiàn)三星對3nm工藝極為重視。

從當前來(lái)看，兩家公司的3nm工藝研發(fā)進(jìn)程基本一致，雖然三星曾計劃在2021年量產(chǎn)該工藝，但受疫情影響推遲到了2022年，究竟誰(shuí)能率先進(jìn)入量產(chǎn)階段，我們拭目以待。

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