SK海力士公布新款DRAM，稱(chēng)實(shí)現單晶圓存儲量最大

SK海力士表示將在年內做好批量生產(chǎn)的準備，并于2020年開(kāi)始全面供應。

在推進(jìn)DRAM的制造技術(shù)上，三星、SK海力士和美光這三大玩家從來(lái)沒(méi)有停止過(guò)前進(jìn)的步伐。

10月21日，SK海力士宣布了開(kāi)發(fā)基于第三代1Z納米（10nm）工藝的DDR4動(dòng)態(tài)隨機存儲器（DRAM），稱(chēng)將實(shí)現單一芯片標準內世界最大容量的16GB，即在一張晶圓中能生產(chǎn)的存儲量達到現存的DRAM中最大。

據悉，新款1Z納米DRAM支持高達3200 Mbps的數據傳輸速率，達到DDR4規格內最高速度；同時(shí)在功耗方面，與上一代相同容量模組相比，降低了約40%；此外，與上一代1Y納米產(chǎn)品相比，其產(chǎn)能提升約27%，因其無(wú)需昂貴的極紫外（EUV）光刻加持，因此更具成本競爭優(yōu)勢。

值得指出的是，第三代產(chǎn)品使用了上一代生產(chǎn)過(guò)程中未使用的新材料來(lái)增加電容，而隨著(zhù)電容的增加，存儲數據的保留時(shí)間和一致性也會(huì )增加，因而穩定性得以提升。

對于產(chǎn)品的商用，SK海力士表示將在年內做好批量生產(chǎn)的準備，并于2020年開(kāi)始全面供應，以積極響應市場(chǎng)需求。此外，它計劃將第三代1Z納米級微細工程技術(shù)擴展到多種應用領(lǐng)域，包括下一代移動(dòng)DRAM LPDDR5和最高端DRAM HBM3等。

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