臺積電確認3nm以及4nm工藝正在研發(fā)：性能提升15%、2022年量產(chǎn)

此外，5nm以及6nm正在大規模量產(chǎn)。

昨日，臺積電舉辦了第26屆技術(shù)研討會(huì )，并披露旗下最新工藝制程信息。

在會(huì )上，臺積電公布了目前最先進(jìn)的3nm以及4nm，其中3nm是5nm的更新迭代，而4nm是5nm的改良版本。臺積電也宣布了5nm以及6nm正在大規模量產(chǎn)。

5nm作為目前最先進(jìn)的制程，將被應用在蘋(píng)果A14、華為麒麟9000、高通驍龍875以及聯(lián)發(fā)科天璣2000上。目前量產(chǎn)中5nm（N5）引進(jìn)了EUV（極紫外光刻）技術(shù)，并且將在明年推出基于N5的增強版——N5P，性能將進(jìn)一步提升。

而相較于5nm，新一代的3nm功耗將減少25~30%、性能提升10~15%。而作為5nm升級版的4nm（N4）將在明年晚些時(shí)候風(fēng)險試產(chǎn)，最快于2022年量產(chǎn)。如果一切順利，臺積電的N5用戶(hù)將順利過(guò)渡到N4。

除臺積電外，三星希望在明年就推出3nm產(chǎn)品。在核心技術(shù)方面，三星的3nm將改用Gate-All-Around（GAA，環(huán)繞柵極晶體管），臺積電則是堅持使用FinFET（鰭式場(chǎng)效應晶體管）。

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