英特爾押注全新堆疊叉片式晶體管技術(shù)，目標2nm

繼三星和臺積電之后，英特爾也開(kāi)始2nm工藝上的突破。

近日，網(wǎng)絡(luò )上的一項專(zhuān)利，暗示了這家芯片巨頭或借助“堆疊叉片式”晶體管技術(shù)來(lái)延續摩爾定律，并且用于2nm及以下先進(jìn)制程的半導體工藝上。

該專(zhuān)利全稱(chēng)“堆疊叉片式晶體管（stacked forksheet transistors）”技術(shù)。該專(zhuān)利并沒(méi)有提供太多的細節，而且英特爾也沒(méi)有提供PPA（功率性能面積）的改進(jìn)數據作為參考。

根據英特爾方面的介紹，“這項專(zhuān)利描述了納米帶晶體管和鍺薄膜的使用，后者將充當電介質(zhì)隔離墻，在每個(gè)垂直堆疊的晶體管層中重復，最終取決于有多少個(gè)晶體管被相互堆疊在一起。這種新的晶體管設計最終可以實(shí)現3D和垂直堆疊的CMOS架構，與目前最先進(jìn)的三柵極晶體管相比，該架構允許增加晶體管的數量。”

簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，這全新的結構目的是為了進(jìn)一步縮小晶體管，同時(shí)在半導體堆疊時(shí)將特征尺寸最小化。在新的結構下，PMOS和NMOS這兩種晶體管將更緊密地封裝到一起，而不會(huì )影響它們的運行。如果一切順利，基礎CMOS器件的占地面積至少減半，從而讓集成電路的密度輕松翻倍。但正如前面所說(shuō)，由于沒(méi)有提供更多細節，這種新結構在制造復雜性上將面臨很大的挑戰。

近些年，面對AMD等競品的挑戰，英特爾方面也開(kāi)始大動(dòng)作不斷，先是推出口碑較好的12代Alder Lake處理器，緊接著(zhù)又宣布重回芯片制造領(lǐng)域。此次推出新專(zhuān)利也是意圖在芯片代工領(lǐng)域有所收獲。

除了英特爾以外，臺積電與三星已經(jīng)在2nm工藝有所進(jìn)展，兩家芯片巨頭均希望使用nanosheet/nanowire（納米片/納米線(xiàn)）晶體管結構取代目前主流的FinFET工藝。從晶體管模型來(lái)看，英特爾的結構似乎可以容納更多的晶體管，但設計思路上其實(shí)大同小異——將半導體材料像積木一樣堆疊起來(lái)。

但并不是所有的專(zhuān)利都能夠成為實(shí)際的產(chǎn)品或制造技術(shù)，目前來(lái)看，英特爾這項專(zhuān)利想實(shí)現的難度還是過(guò)大。

最后，記得關(guān)注微信公眾號：鎂客網(wǎng)（im2maker），更多干貨在等你！