長(cháng)江存儲vs美光：一場(chǎng)中美芯片戰的“反圍剿”

崛起之前，長(cháng)江存儲躲不過(guò)“專(zhuān)利”這道檻。

11月9日，國內存儲廠(chǎng)商長(cháng)江存儲在美國加州北區地方法院正式起訴美系存儲大廠(chǎng)美光，指控其侵犯了8項3D NAND相關(guān)的美國專(zhuān)利。

長(cháng)江存儲在專(zhuān)利侵權起訴書(shū)中表示，訴訟是為了終止美光廣泛且未經(jīng)授權使用長(cháng)江存儲專(zhuān)利創(chuàng )新。

一直以來(lái)，國內半導體廠(chǎng)商在海外大廠(chǎng)面前都扮演著(zhù)“弱者”形象，而這一次長(cháng)江存儲選擇主動(dòng)出擊。

在這背后，長(cháng)江存儲的硬實(shí)力是一方面。更重要的是，中國半導體廠(chǎng)商已經(jīng)重視到專(zhuān)利這把“武器”。

國產(chǎn)廠(chǎng)商，挑戰存儲巨頭

NAND，又叫閃存，是一種非易失性存儲器（ROM），斷電后仍能保存數據，通常應用于外部存儲器。

用通俗的語(yǔ)言，其實(shí)就是我們熟知的“硬盤(pán)”。

包括SSD固態(tài)硬盤(pán)、U盤(pán)等等在內，其實(shí)都是NAND。但一般來(lái)說(shuō)，存儲大廠(chǎng)之間的比拼，都圍繞在大容量數據存儲上。

想要提升NAND的性能，主要有兩個(gè)技術(shù)路徑。

其一，是和手機芯片類(lèi)似，提升制程節點(diǎn)；而當傳統2D NAND技術(shù)走到瓶頸后，只能通過(guò)縱向疊加層數的方式獲取高密度和大容量，這就是3D NAND技術(shù)。

長(cháng)江存儲之所以能在近些年攪局NAND市場(chǎng)，正是在國際存儲巨頭集體轉向3D NAND的重要轉折點(diǎn)，搶先一步量產(chǎn)232層閃存顆粒，并交付給第三方企業(yè)進(jìn)行封裝流入市場(chǎng)。

這一切，得益于長(cháng)江存儲在2018年發(fā)布的名為“Xtacking架構”的新技術(shù)。

該技術(shù)簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)是可以實(shí)現并行、模塊化產(chǎn)品設計及制造，縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間和生產(chǎn)周期的同時(shí)，還能實(shí)現比傳統3D NAND技術(shù)更高的存儲密度與性能。

在這個(gè)buff的加持下，長(cháng)江存儲一路開(kāi)掛。

不僅快速追上與海力士、三星等大廠(chǎng)的距離，并且在同行剛開(kāi)啟商業(yè)化時(shí)，率先實(shí)現量產(chǎn)。

目前，Xtacking技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到3.0，不少存儲國際大廠(chǎng)都對技術(shù)非常感興趣，甚至傳出不排除以技術(shù)交叉授權的方式來(lái)彼此合作，足以看出長(cháng)江存儲在專(zhuān)利層面的儲備。

在指控書(shū)里，長(cháng)江存儲表示，美光侵犯了美國專(zhuān)利號為“10,950,623”、“11,501,822”、“10,658,378”、“10,937,806”、“10,861,872”、“11,468,957”、“11,600,342”和“10,868,031"，涉及侵權的產(chǎn)品包括96層、128層、176層、232層的3D NAND。

半導體知識產(chǎn)權專(zhuān)家表示，這些專(zhuān)利的申請日都在2018年之后，并不是長(cháng)江存儲早期成立時(shí)的專(zhuān)利，而是與Xtacking技術(shù)關(guān)系緊密，因此大概率會(huì )與美光技術(shù)產(chǎn)生重復，且技術(shù)成熟度可能會(huì )更好。

此外，根據IFI Claims的統計顯示，長(cháng)江存儲在2020年之后在美國陸續有獲得專(zhuān)利授權，并且在近兩年呈現出穩定和增長(cháng)的態(tài)勢，目前已經(jīng)有近400項專(zhuān)利，足以看出長(cháng)江存儲在美國布局專(zhuān)利的力度。

值得一提的是，在長(cháng)江存儲成立之初，中科院微電子所向其授權了1000多項閃存專(zhuān)利，更直接派出了工程師團隊現場(chǎng)支援。也正是這些積累多年的專(zhuān)利，為長(cháng)江存儲的快速成長(cháng)奠定了基礎。

專(zhuān)利戰，虛虛實(shí)實(shí)

雖然長(cháng)江存儲在美國本土專(zhuān)利儲備上做足了準備，但相比于美光近13100項有效的美國專(zhuān)利，前者還是有種“蚍蜉撼大樹(shù)”的感覺(jué)。

而在今年1月份，有一家名為BeSang的美國初創(chuàng )公司，同樣因為3D NAND技術(shù)起訴了美光和英特爾，但因其體量過(guò)小，目前也沒(méi)有太大進(jìn)展。

另一方面，在長(cháng)江存儲指控的176層3D NAND技術(shù)上，美光其實(shí)是全球首個(gè)實(shí)現量產(chǎn)的廠(chǎng)商，在其專(zhuān)有的CuA（CMOS-under-array）架構下，美光的進(jìn)度算是最快的。

既然有這么多不利因素，那么長(cháng)江存儲為何還要死磕美光呢？

據《 問(wèn)芯Voice》的報道，專(zhuān)利戰真正目的，是為了在美國的出口管制封鎖下，為公司爭取公平談判的機會(huì )，是為公司的生存而戰。

在過(guò)去幾十年間，西方科技巨頭之間的專(zhuān)利大戰屢見(jiàn)不鮮，而中國廠(chǎng)商在近些年才開(kāi)始涉及到專(zhuān)利糾紛，多少有些“不適應。

對于科技公司而言，知識產(chǎn)權其實(shí)是公司的競爭力之一，而專(zhuān)利則是知識產(chǎn)權的核心構成。

因此科技巨頭之間的專(zhuān)利大戰，金錢(qián)利益永遠不是第一位，市場(chǎng)競爭才是背后更重要的一環(huán)。

就長(cháng)江存儲而言，目前雖然在NAND市場(chǎng)有了一席之地，但依然受到了不少打壓。

為了打開(kāi)更大的市場(chǎng)，競爭是躲不了的一環(huán)。

圖源 | 長(cháng)橋海豚投研

比起三星、海力士等韓系大廠(chǎng)，美光自帶“美國半導體企業(yè)”的身份，更容易受到市場(chǎng)的關(guān)注。

尤其是在中美半導體行業(yè)持續對抗、中國企業(yè)長(cháng)期受到出口管制的不公平對待的大背景下，“長(cháng)江存儲vs美光”的對抗更有機會(huì )提升中國企業(yè)的信息。

另一方面，目前美光在國內被限制，自身發(fā)展又受到半導體“周期性”影響，仍處在低谷，對于長(cháng)江存儲而言，這正是難得的機會(huì )。

這或許印證了那句，“進(jìn)攻就是最好的防守”。

專(zhuān)利戰的虛虛實(shí)實(shí)背后，長(cháng)江存儲足夠吸引全行業(yè)的目光。

勝算雖大，國產(chǎn)存儲依然很難

去年年底，長(cháng)江存儲被美國商務(wù)部列入實(shí)體清單，限制了先進(jìn)設備材料的進(jìn)出口。這恰好是長(cháng)江存儲公開(kāi)宣布232層顆粒量產(chǎn)的時(shí)間。

在失去領(lǐng)先的“窗口期”之后，美光、SK海力士、三星等廠(chǎng)商逐漸追了上來(lái)，在技術(shù)上還反超了長(cháng)江存儲。

目前，SK海力士已經(jīng)公布了其最新的321層堆疊4D NAND Flash閃存樣品，三星、美光也陸續曝光300+層NAND閃存。

顯然，長(cháng)江存儲在300+層時(shí)代開(kāi)始走向了落后。

不過(guò)在價(jià)格、以及產(chǎn)品優(yōu)勢面前，長(cháng)江存儲還是能在短時(shí)間內攪動(dòng)市場(chǎng)。

同時(shí)，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金繼續為長(cháng)江進(jìn)行投資，保證其產(chǎn)能以及研發(fā)進(jìn)度。

希望這次專(zhuān)利訴訟，能為長(cháng)江存儲再次爭取到下一個(gè)“窗口”，同時(shí)也為更多中國半導體企業(yè)帶來(lái)信心。

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