下一代HBM，SK海力士再贏(yíng)一局

有大佬撐腰，海力士又穩了？

本周，韓國媒體The Elec的一份最新報告顯示，三星下一款HBM產(chǎn)品已經(jīng)準備就緒，按計劃將在將于2025年底量產(chǎn)。

報告稱(chēng)，三星將在年底前進(jìn)行HBM4的流片，按照流片與試產(chǎn)產(chǎn)品之間的時(shí)間間隔計算，新產(chǎn)品最早將會(huì )在2025 年初發(fā)布并進(jìn)一步改進(jìn)，直到將樣品發(fā)送給主要客戶(hù)。

在HBM3時(shí)代，因為缺少重視加之良率低等問(wèn)題，三星的HBM產(chǎn)品遲遲未能進(jìn)入英偉達供應鏈，這導致三星在AI 芯片競爭中面臨著(zhù)越來(lái)越大的壓力。

因此，開(kāi)發(fā)落后的三星希望以資金為“武器”嘗試逆襲，希望在HBM4這一代縮小差距。

但據今天爆出的最新消息，三星在存儲領(lǐng)域的競爭對手SK海力士將與臺積電、英偉達展開(kāi)深度合作，這一合作計劃預計將在9月的中國臺灣國際半導體展（Semicon Taiwan）上正式宣布，屆時(shí)SK海力士社長(cháng)金柱善將發(fā)表專(zhuān)題演講。

據悉，三方合作的目標是在2026年實(shí)現HBM4的量產(chǎn)，將采用臺積電的12FFC+（12 納米級）和 N5（5 納米級）工藝技術(shù)制造HBM4的基礎，從而實(shí)現更微小的互連間距，提高 HBM4 的性能和能效。

從時(shí)間節點(diǎn)來(lái)看，三星量產(chǎn)時(shí)間是要早于SK海力士，但后者作為目前 英偉達HBM內存的獨家供應商，已經(jīng)就具備先發(fā)優(yōu)勢，如今再與臺積電強強聯(lián)手，在良品率上也無(wú)需擔憂(yōu)。

按照計劃，英偉達將在2026年推出下一代Rubin，2027年推出Rubin Ultra。

Rubin平臺的亮點(diǎn)在于其集成了多項前沿技術(shù)。首先，它搭載了全新的GPU，其次，Rubin還整合了基于Arm架構的新CPU—Vera，這標志著(zhù)英偉達在中央處理器領(lǐng)域的進(jìn)一步拓展。

此外，Rubin平臺采用多項網(wǎng)絡(luò )技術(shù)，并融合了InfiniBand/以太網(wǎng)交換機，從而構建了一個(gè)高級的網(wǎng)絡(luò )平臺，旨在為用戶(hù)提供更高效、更穩定的數據傳輸能力。到那時(shí)，全新的超級芯片將全面取代目前的Grace Hopper。

與Blackwell平臺相比，新平臺將首次引入8層HBM4，而Rubin Ultra將進(jìn)一步支持12層HBM4，但這一切前提都是需要緊跟SK海力士的節奏。

如今，HBM內存已成為當前AI加速器的生產(chǎn)瓶頸， 而SK海力士的訂單更是排滿(mǎn)至明年。但從目前多方給出的信號來(lái)看，在海力士?jì)?yōu)勢明顯的背景下，英偉達并不會(huì )輕易將HBM訂單讓給三星，反倒是HBM的另一位競爭者美光，會(huì )在SK海力士產(chǎn)能不足情況下在未來(lái)有望承接英偉達更多訂單。

不過(guò)在Rubin平臺真正推出之前，三星還是有機會(huì )靠著(zhù)“混合鍵合技術(shù)”扳回一城。

針對HBM4產(chǎn)品，目前有兩種主流的結合方式：一個(gè)是現有成熟的“MR-MUF”（大規?；亓?成部填充）先進(jìn)封裝工藝，另一個(gè)是三星主推的混合鍵合技術(shù)。

簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，HBM靠的是DRAM 模塊之間使用一種稱(chēng)為“微凸塊”的材料進(jìn)行連接。然而通過(guò)混合鍵合，芯片可以在沒(méi)有凸塊的情況下連接，從而減小芯片的厚度。

需要注意的是，國際半導體標準化組織（JEDEC）已經(jīng)將HBM4的厚度標準從上一代的720微米放寬至775微米，這就意味著(zhù)在未來(lái)一段時(shí)間內，MR-MUF仍然可以用來(lái)制造HBM4，而三星想借助混合鍵合追趕SK海力士的想法也變得更加困難，畢竟SK海力士也會(huì )加快混合鍵合技術(shù)的開(kāi)發(fā)速度以應對來(lái)自三星的追趕。

就目前來(lái)看，三星似乎已經(jīng)是痛定思痛將在下一代HBM上搶奪回市場(chǎng)上的主動(dòng)權，但在缺少訂單和良率的前提下，英偉達還是會(huì )優(yōu)先采用更加成熟的方案作為過(guò)渡。

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