原東芝存儲叫板美光，稱(chēng)不看好3D XPoint等技術(shù)前景

動(dòng)態(tài)隨機存儲器（DRAM）、閃存（Flash）和存儲級內存（SCM）將是當前市面的三大發(fā)展方向。

繼宣布將正式更名為凱俠之后，“新東芝存儲”在存儲領(lǐng)域動(dòng)作也是不斷，今年八月份它收購了建興的固態(tài)硬盤(pán)業(yè)務(wù)，后來(lái)12月份就發(fā)布了Twin BiCS新技術(shù)。

最近，在今年的國際電子設備會(huì )議（IEDM）上，該公司宣布了基于Twin BiCS技術(shù)的閃存產(chǎn)品，并透露了即將推出的XL-Flash技術(shù)信息，同時(shí)它表示對3D XPoint之類(lèi)的堆疊類(lèi)存儲方案的前景并不看好。

值得一提的是，3D XPoint是由Intel和美光共同開(kāi)發(fā)的一種非易失性存儲技術(shù)，它的存儲原理與NAND或3D NAND完全不同，據說(shuō)性能也是非常驚人。而凱俠此舉頗有與美光公開(kāi)叫板的氣勢。

關(guān)于原因，它指出相對于層數的每比特位成本，層數的增加會(huì )帶來(lái)更高的復雜性，控制電路會(huì )損失一部分面積，產(chǎn)能損失的影響也更大，而相比之下，3D NAND 技術(shù)要成熟得多，市面上已大量上市90多層的產(chǎn)品。

對于未來(lái)的存儲產(chǎn)品發(fā)展，凱俠在現場(chǎng)表示，十年內存儲市場(chǎng)仍將繼續追求存儲的密度、速度和需求的平衡點(diǎn)，動(dòng)態(tài)隨機存儲器（DRAM）、閃存（Flash）和存儲級內存（SCM）將是當前市面的三大發(fā)展方向。

最后，記得關(guān)注微信公眾號：鎂客網(wǎng)（im2maker），更多干貨在等你！