臺積電稱(chēng)2020年投入先進(jìn)制程約160億美元，將在4月公布3nm工藝細節

臺積電是否會(huì )在3nm工藝上繼續選擇FinFET，這將影響到整個(gè)行業(yè)先進(jìn)制程的走勢。

繼三星之后，臺積電也正式對外公布了其3nm工藝計劃。

在剛結束不久的說(shuō)法會(huì )上，臺積電宣布，其2020年的開(kāi)支大約會(huì )在150到160億美元之間，其中80%將投向先進(jìn)產(chǎn)能擴增，包括7nm、5nm及3nm。其中，關(guān)于3nm工藝的具體情況，臺積電稱(chēng)將會(huì )在4月份的發(fā)布會(huì )上公開(kāi)。

目前，業(yè)內普遍認為3nm工藝決定了未來(lái)半導體新制程的發(fā)展方向，因此半導體制造領(lǐng)域的巨頭們最終會(huì )在3nm工藝上選擇什么路線(xiàn)，成為業(yè)內格外關(guān)注的話(huà)題。

此前三星就宣布了3nm工藝計劃，明確表示會(huì )放棄FinFET晶體管，轉向GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)。具體來(lái)說(shuō)，三星的3nm工藝分為3GAE、3GAP，后者的性能更好，不過(guò)首發(fā)的是第一代GAA晶體管工藝3GAE。

根據官方說(shuō)法，基于全新的GAA晶體管結構，三星通過(guò)使用納米片設備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場(chǎng)效應管），該技術(shù)可以顯著(zhù)增強晶體管性能；此外，MBCFET技術(shù)還能兼容現有的FinFET制造工藝的技術(shù)及設備，從而加速工藝開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)。

在2019年的日本SFF會(huì )議上，三星還公布了3nm工藝的具體指標，與現在的7nm工藝相比，3nm工藝可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。

三星計劃在2030年前投資1160億美元打造半導體王國，由于在7nm、5nm節點(diǎn)上都要落后于臺積電，所以三星押注3nm節點(diǎn)，希望在這個(gè)節點(diǎn)上超越臺積電成為第一大晶圓代工廠(chǎng)，因此三星對3GAE工藝寄予厚望，最快會(huì )在2021年就要量產(chǎn)。

至于臺積電，在3nm節點(diǎn)他們也大舉投資，去年宣布斥資195億美元建設3nm工廠(chǎng)，2020年會(huì )正式開(kāi)工，不過(guò)技術(shù)細節一直沒(méi)有透露，尤其是臺積電是否會(huì )像三星那樣選擇GAA晶體管還是會(huì )繼續改進(jìn)FinFET晶體管，這將影響到整個(gè)行業(yè)走勢。

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