光刻機自主研發(fā)新動(dòng)向：清華大學(xué)團隊發(fā)表SSMB EUV光源研究成果

SSMB?EUV光源將有望解決光刻機的“卡脖子”難題。

近日，來(lái)自清華大學(xué)的科研團隊發(fā)表了一份基于SSMB的EUV光源技術(shù)研究成果，該項技術(shù)將有助于解決目前我國自研光刻機中最核心的“卡脖子”難題。

據清華大學(xué)官網(wǎng)發(fā)布的消息，清華大學(xué)工程物理系教授唐傳祥研究組與來(lái)自亥姆霍茲柏林材料與能源研究中心（HZB），以及德國聯(lián)邦物理技術(shù)研究院（PTB）的合作團隊在《自然》科學(xué)雜志（Nature）上，刊發(fā)了題為“穩態(tài)微聚束原理的實(shí)驗演示”（Experimentaldemonstration of the mechanism of steady-state microbunching）的研究論文。

該論文報告了一種新型粒子加速器光源“穩態(tài)微聚束”（Steady-state microbunching，SSMB），及其首個(gè)原理驗證實(shí)驗。

據介紹，在芯片制造產(chǎn)業(yè)鏈中，光刻機是必不可少的精密設備，是集成電路芯片制造中最復雜和關(guān)鍵的工藝步驟。芯片工業(yè)界公認的新一代主流光刻技術(shù)，是采用波長(cháng)為13.5納米光源的EUV（極紫外光源）光刻技術(shù)。其中，大功率的EUV光源是EUV光刻機的核心基礎。

EUV光刻機被認為是最頂尖的光刻機，也是高精尖芯片生產(chǎn)過(guò)程中不可或缺的設備。但該設備目前只能由荷蘭ASML公司生產(chǎn)，且每臺設備售價(jià)超過(guò)1億美元。

生產(chǎn)光刻機的其中一項技術(shù)難點(diǎn)，是如何提供波長(cháng)短、功率大的EUV光源。

據清華大學(xué)研究團隊發(fā)布的實(shí)驗結果顯示，基于SSMB原理，能獲得高功率、高重頻、窄帶寬的相干輻射，波長(cháng)可覆蓋從太赫茲到極紫外（EUV）波段。

因此，《自然》評閱人對穩態(tài)微聚束原理的實(shí)驗成果給予了高度評價(jià)，認為該項研究展示了一種新的方法論，必將引起粒子加速器和同步輻射領(lǐng)域的興趣。

唐傳祥教授表示，“SSMB光源的潛在應用之一是作為未來(lái)EUV光刻機的光源，這是國際社會(huì )高度關(guān)注清華大學(xué)SSMB研究的重要原因。”

他還指出，盡管SSMBEUV光源有望解決自主研發(fā)光刻機中最核心光源問(wèn)題，但EUV 光刻機的自主研發(fā)還有很長(cháng)的路要走。這不僅需要對SSMB EUV光源的持續科研攻關(guān)，還需要半導體行業(yè)上下游產(chǎn)業(yè)鏈的配合。

最后，記得關(guān)注微信公眾號：鎂客網(wǎng)（im2maker），更多干貨在等你！