臺積電公布最新技術(shù)進(jìn)展：3nm明年量產(chǎn)

由于疫情尚未平復，臺積電依然沿用去年的線(xiàn)上模式舉辦這次論壇。

在本周舉行的臺積電2021年技術(shù)研討會(huì )上，臺積電CEO魏哲家分享其先進(jìn)邏輯技術(shù)、特殊技術(shù)、3DFabric先進(jìn)封裝與芯片堆疊等方面的最新進(jìn)展。

臺積電CEO魏哲家在大會(huì )上說(shuō)道：“數字化轉型為半導體行業(yè)開(kāi)辟了一個(gè)充滿(mǎn)機遇的新世界，我們的全球技術(shù)研討會(huì )強調了我們增強和擴展技術(shù)組合的許多方法，以釋放客戶(hù)的創(chuàng )新。”

首先，臺積電將其領(lǐng)先的工藝節點(diǎn)分為三個(gè)產(chǎn)品家族：7nm、5nm和即將推出的3nn工藝節點(diǎn)。隨著(zhù)許多客戶(hù)遷移到更先進(jìn)的工藝節點(diǎn)，7nm產(chǎn)能增速放緩，預計2021年產(chǎn)能僅增加14%，與曾經(jīng)16nm工藝系列產(chǎn)能進(jìn)展類(lèi)似。與之對應的，目前代工廠(chǎng)主要專(zhuān)注于5nm和即將推出的3nm芯片產(chǎn)品。

在研討會(huì )上，臺積電官方介紹了5nm工藝新成員N5A。N5A工藝旨在應對當今對計算能力需求不斷增加的汽車(chē)應用。由于有臺積電汽車(chē)設計平臺的支持，N5A計劃于2022年第三季度上市。

同時(shí)，臺積電透露了其4nm和3nm的最新進(jìn)展。4nm加強版采用與N5幾乎近相同設計法則，在性能、功耗和集體管密度上均進(jìn)一步提升，通過(guò)邏輯的光學(xué)微縮、標準單元庫的改進(jìn)和設計規則的推動(dòng)，N4的晶體管密度較N5提升6%。臺積電還聲稱(chēng)，N4自2020年技術(shù)研討會(huì )上宣布以來(lái)進(jìn)展順利，預計2021年第三季度風(fēng)險量產(chǎn)。

而3nm方面，依靠業(yè)經(jīng)驗證的FinFET晶體管架構，得以實(shí)現最佳性能、功耗和成本效益，與N5相比，臺積電N3性能提升15%、功耗降低30%、邏輯密度增加70%，有望在2022年下半年開(kāi)始量產(chǎn)，同時(shí)成為世界上最先進(jìn)的芯片制造技術(shù)。

隨著(zhù)臺積電3nm開(kāi)始量產(chǎn)，可以預測各家手機廠(chǎng)商的旗艦手機SoC也將更新至3nm。不過(guò)射頻芯片沒(méi)有像手機SoC制程一樣頻繁升級，依然使用16nm左右制程，但這一局面可能會(huì )在未來(lái)有所改變。

最后，記得關(guān)注微信公眾號：鎂客網(wǎng)（im2maker），更多干貨在等你！