南大光電高端ArF光刻膠技術(shù)獲突破，有助打破美日壟斷格局

突破”卡脖子"難關(guān)，道阻且長(cháng)，但行則將至。

光刻膠，又稱(chēng)光致抗蝕劑，是整個(gè)光刻工藝中最核心的材料之一。在芯片生產(chǎn)中，光刻膠是必不可少的材料。但目前，光刻膠的國產(chǎn)化程度很低，國內晶圓廠(chǎng)商較多依賴(lài)進(jìn)口。

據悉，根據不同技術(shù)類(lèi)別，國內低端的g線(xiàn)/i線(xiàn)光刻膠自給率約為20%，KrF光刻膠自給率不足5%，而高端的ArF光刻膠完全依賴(lài)進(jìn)口，也因此成為中國急需攻克的半導體卡脖子技術(shù)之一。

而近日國產(chǎn)光刻膠行業(yè)傳來(lái)了好消息。國內廠(chǎng)商南大光電宣布，該公司研發(fā)的高端ArF光刻膠已經(jīng)獲得了國內某企業(yè)的認證，可用于55nm工藝制造。

5月31日晚間，南大光電發(fā)布公告稱(chēng)，其控股子公司寧波南大光電自主研發(fā)的ArF光刻膠繼去年12月在一家存儲芯片制造企業(yè)的50nm閃存平臺上通過(guò)認證后，近日又在邏輯芯片制造企業(yè)55nm技術(shù)節點(diǎn)的產(chǎn)品上取得了認證突破，表明公司光刻膠產(chǎn)品已具備55nm平臺后段金屬布線(xiàn)層的工藝要求。

據悉，雖然本次南大光電的ArF光刻膠通過(guò)的是55nm工藝認證，但ArF光刻膠涵蓋的工藝技術(shù)很廣，可用于90nm-14nm甚至7nm 技術(shù)節點(diǎn)制造工藝，目前廣泛應用于高端芯片制造（包括邏輯芯片、 存儲芯片、AI 芯片、5G 芯片和云計算芯片等）。

目前，受全球“芯片荒”刺激，進(jìn)口芯片普遍漲價(jià)，而國內本土晶圓廠(chǎng)也收獲了大量訂單，這使得芯片生產(chǎn)中所需的上游原材料更是供不應求。受此利好，國產(chǎn)光刻膠也接到了不少訂單。

不過(guò)，在極高的技術(shù)壁壘下，光刻膠市場(chǎng)仍常年處在美國和日本幾家公司的壟斷格局之下。據悉，目前JSR、信越化學(xué)等TOP5廠(chǎng)商占據全球87%的份額。

國外壟斷化加上光刻膠本身的保質(zhì)期較短（6-9個(gè)月），一旦遇到突發(fā)事件，對我國芯片制造就會(huì )造成負面影響。因此，光刻膠的國產(chǎn)化勢在必行，而此次南大光電的技術(shù)突破，顯然為此開(kāi)了個(gè)好頭。

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