三星3nm GAA 工藝成功流片，性能提高約30％

在與臺積電的3nm工藝競爭中，三星已經(jīng)搶先一步。

據外媒報道，三星已經(jīng)成功流片3nm GAA芯片，這讓三星離真正實(shí)現3nm芯片量產(chǎn)更近一步。

當下，芯片封裝最先進(jìn)的工藝是5nm，同時(shí)3nm工藝也正處在技術(shù)攻堅階段。此前臺積電曾表示，自家3nm工藝明年就能量產(chǎn)。不過(guò)臺積電的3nm工藝依然選擇了傳統的FinFET 晶體管技術(shù)，而三星押注了更加激進(jìn)的GAA技術(shù)。

三星采用的下一代工藝技術(shù)——GAA全稱(chēng)為環(huán)繞柵極晶體管。通過(guò)使用納米片設備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋 - 通道場(chǎng)效應管），該技術(shù)可以顯著(zhù)增強晶體管性能，主要用來(lái)取代FinFET晶體管技術(shù)。

早在2019年，三星就公布了3nm GAA工藝的PDK物理設計套件標準，這一次 3nm芯片流片也是同Synopsys合作完成，雙方聯(lián)合驗證了該工藝的設計、生產(chǎn)流程。

根據三星的說(shuō)法，與5nm制造工藝相比， 3nm GAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了 35%以上，功耗降低了50%，性能提高了約30%。

不過(guò)此次三星、 Synopsys 并沒(méi)有透露這次驗證的 3nm GAA 芯片的詳情，官方只說(shuō)GAA架構改進(jìn)了靜電特性，提高了性能，降低了功耗。網(wǎng)絡(luò )上也對三星3nm GAA工藝保持著(zhù)觀(guān)望態(tài)度。

三星3nm GAA芯片的流片意味著(zhù)三星在3nm工藝競爭中搶先一步。但最終的進(jìn)度依然不好說(shuō)，只有真正完成量產(chǎn)才能在搶占客戶(hù)上搶占先進(jìn)。目前來(lái)看，臺積電3nm工藝更加成熟。

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