把內存塞進(jìn)CPU,先進(jìn)封裝有多神奇?
當代工巨頭們開(kāi)始布局封裝。
還有不到一個(gè)月,英特爾全新一代Meteor Lake系列處理器就要上市了。
作為酷睿品牌下極具里程碑意義的一代產(chǎn)品,這代處理器被英特爾官方寄予厚望,不僅采用了全新的命名規則(酷睿 Ultra),同時(shí)還用上了目前最先進(jìn)的封裝技術(shù)。
就在最近,英特爾正式對外展示了酷睿Ultra 1代處理器的部分技術(shù)細節,其中最大的亮點(diǎn),莫過(guò)于處理器中集成的內存了。
在Foveros封裝技術(shù)下,這款CPU成品集成了16GB的三星LPDDR5X-7500內存,可提供120GB/s的峰值帶寬,甚至比目前頂尖的DDR5-5200與LPDDR5-6400還快。
塞進(jìn)更多晶體管,全靠3D封裝
把內存塞進(jìn)CPU,這不是英特爾第一次嘗試。在代號Sapphire Rapids-HBM的 Xeon Max處理器上,英特爾就集成了64GB的HBM2e內存。
這是一款面向高性能計算(HPC)和人工智能(AI)的高性能芯片,擁有56個(gè)基于Golden Cove架構的性能內核,在EMIB(Embedded Multi-die Interconnect Bridge,嵌入式多芯片互連橋接)封裝技術(shù)的幫助下,這些性能內核一共構成了四個(gè)集群。
據英特爾稱(chēng),Xeon Max配備的HBM內存足以滿(mǎn)足最常見(jiàn)的HPC工作負載,并且與競爭對手的同類(lèi)產(chǎn)品對比中,性能高出4.8倍。
簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),在CPU內部的低延遲上集成高速的HBM內存,本身就比DDR4、DDR5等內存快上不少,在服務(wù)器產(chǎn)品上優(yōu)勢會(huì )更大。而最重要的是,集成了HBM內存的CPU,在價(jià)格上也更加優(yōu)惠。
不過(guò)作為一項2.5D封裝技術(shù),EMIB技術(shù)雖然在散熱、成本等方面具有優(yōu)勢,更適合高存力、高算力的芯片。對于制程工藝不斷升級的消費級處理器來(lái)說(shuō),2.5D封裝技術(shù)并不太適合。
因此除了EMIB封裝技術(shù)外,英特爾還推出了3D封裝技術(shù)Foveros,該技術(shù)通過(guò)使用硅通孔(TSV),在有源轉接板上集成不同類(lèi)型的器件,搭配上更加靈活,同時(shí)提高了核心能力。
在2019年,英特爾首次在處理器平臺Lakefield上嘗試了Foveros封裝技術(shù),在指甲蓋大小的芯片內塞進(jìn)了1顆大核(Sunny Cove架構)和4顆小核(Tremont架構)共計5個(gè)核心,以及LPDDR4內存、L2和L3緩存和Gen11 GPU單元,組成了類(lèi)似手機處理器的SoC系統。
從這里就可以出來(lái),在3D封裝技術(shù)下,整個(gè)處理器在嵌入更多模塊的前提下,實(shí)現了大幅瘦身。
對于長(cháng)期以來(lái)被吐槽“擠牙膏”的酷睿芯片來(lái)說(shuō),僅憑制程工藝的提升,顯然跟不上消費者的需求,因此將先進(jìn)封裝技術(shù)用在新一代芯片上非常好理解。
不過(guò)從目前網(wǎng)上透露的數據來(lái)看,酷睿14代桌面處理器仍然只是13代處理器的頻率提升版本,因此集成了LPDDR5X內存的Ultra 1代處理器可能并不會(huì )這么快就面向消費級市場(chǎng)。
還有多少黑科技?
事實(shí)上,英特爾并不是第一家將內存封裝到CPU上的芯片廠(chǎng)商,在革命性的蘋(píng)果M1芯片上,就已經(jīng)首次集成了LPDDR內存。
雖說(shuō)該內存并不位于處理器本身內,但從結構上來(lái)說(shuō),它仍然屬于同一硅片的一部分,因此蘋(píng)果也成為了全球第一家在客戶(hù)端 CPU 中使用封裝 LPDDR內存的公司。這背后,同樣離不開(kāi)先進(jìn)封裝技術(shù)的功勞。
除了將內存塞進(jìn)CPU以外,先進(jìn)封裝在今年大火的AI芯片上也是發(fā)揮了非常大的作用。
此前,靠著(zhù)成熟的工藝制程,以及獨特的CoWoS(Chip On Wafer On Substrate)封裝工藝,臺積電一直為英偉達GPU芯片代工。
該工藝原本為移動(dòng)端處理器開(kāi)發(fā)的制程工藝,能夠減少芯片70%的體積。在如今的AI時(shí)代,AI芯片對于先進(jìn)封裝的需求更加迫切。
簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),隨著(zhù)運算需求的日益復雜,異構計算大行其道,更多不同類(lèi)型的芯片需要被集成在一起,先進(jìn)封裝通過(guò)提升了芯片集成密度和互聯(lián)速度的做法,大幅提升了相關(guān)產(chǎn)品的內存容量和數據傳輸速率。
因此除了英偉達GPU以外,包括亞馬遜AWS、博通、思科和賽靈思在內的芯片廠(chǎng)商,都有非常大的CoWoS封裝需求。
而在5G、自動(dòng)駕駛汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)技術(shù),以及XR等領(lǐng)域,這些新興的應用半導體同樣對先進(jìn)封裝需求十分旺盛。從芯片結構來(lái)看,這類(lèi)芯片需要滿(mǎn)足高性能、小尺寸和低功耗等特性,因此需要實(shí)現更高密度的集成,并大大減少對面積的浪費,從而實(shí)現更小體積、更好散熱、更高集成度等目標。相較于傳統封裝,先進(jìn)封裝尤其是3D封裝在功能和性能上具有非常多的優(yōu)勢。
另一方面,隨著(zhù)半導體應用愈發(fā)豐富,先進(jìn)封裝技術(shù)還需要承擔一些輔助手段,為芯片設計公司提供思路,降低了晶圓廠(chǎng)的制造門(mén)檻。
寫(xiě)在最后
值得一提的是,不少廠(chǎng)商都在積極布局先進(jìn)封裝技術(shù)。除了英特爾主推的EMIB、Foveros技術(shù)以及臺積電主推的CoWoS技術(shù)以外,臺積電旗下還有InFo、SoIC等方案;三星也發(fā)展I-cube、X-Cube等先進(jìn)封裝技術(shù)。
而傳統的封裝巨頭也在積極布局先進(jìn)封裝技術(shù)。
可以說(shuō),在芯片行業(yè)回暖之前,芯片巨頭們能度過(guò)這個(gè)冬天的手段并不多,提前布局先進(jìn)封裝,為需求爆發(fā)打好基礎,并不是一件壞事。
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