燒錢(qián)的AI,養活內存三巨頭
手握遙遙領(lǐng)先的硬件支持,英偉達在A(yíng)I時(shí)代已經(jīng)是神一般的存在。而靠著(zhù)AI賺錢(qián)的并不只有AI芯片公司,手握HBM技術(shù)的存儲芯片三巨...
手握遙遙領(lǐng)先的硬件支持,英偉達在A(yíng)I時(shí)代已經(jīng)是神一般的存在。而靠著(zhù)AI賺錢(qián)的并不只有AI芯片公司,手握HBM技術(shù)的存儲芯片三巨頭也在今年大賺一筆。
據韓國媒體BusinessKorea報道,三星電子通過(guò)內部網(wǎng)絡(luò )宣布,其設備解決方案(DS)部門(mén)的內存業(yè)務(wù)部門(mén)員工將獲得相當于基本工資 200% 的下半年績(jì)效獎金,這筆名為“目標達成激勵”(TAI)的獎金,將于近期發(fā)放,目的是激勵并慶祝半導體部門(mén)在公司長(cháng)期發(fā)展中取得的重要成就。
據報道稱(chēng),內存業(yè)務(wù)部門(mén)績(jì)效獎金的大幅提升,主要得益于半導體市場(chǎng)的復蘇以及該部門(mén)業(yè)績(jì)的快速好轉。
有數據統計,去年三星內存業(yè)務(wù)部門(mén)虧損高達10 萬(wàn)億韓元,而今年將實(shí)現約 20 萬(wàn)億韓元的的盈余,完成了徹底的翻身。也正是這一成績(jì),讓DS 部門(mén)獲得了有史以來(lái)最高的 TAI 金額。
有意思的是,就在今年上半年,三星電子的半導體部門(mén)剛剛經(jīng)歷了一場(chǎng)“突襲式”的人事變動(dòng)。在存儲芯片領(lǐng)域工作多年的Jun Young Hyun(全永賢)接替了半導體業(yè)務(wù)的原負責人Kyung Kyehyun(慶桂顯),成為三星電子新一任芯片主管。
要說(shuō)DS 部門(mén)之前有多慘,前面提到內存業(yè)務(wù)部去年虧損高達10 萬(wàn)億韓元,晶圓代工和系統 LSI 業(yè)務(wù)更是沒(méi)拿到一分錢(qián)年終獎。在面對股東們的尖銳問(wèn)題時(shí),慶桂顯只能不斷重復“會(huì )做得更好”。相比之下,三星電子另一大業(yè)務(wù)消費電子(設備體驗(DX)部門(mén))的高管們幾乎沒(méi)有收到任何提問(wèn)。
當然,系統 LSI 和晶圓代工業(yè)務(wù)部其實(shí)今年的表現依然前景不太明朗,整個(gè)部門(mén)全靠著(zhù)HBM產(chǎn)品硬撐。
在全永賢上任之后,三星半導體部門(mén)一個(gè)很明顯的趨勢就是將HBM芯片進(jìn)行分割重點(diǎn)發(fā)展。
在此之前,三星是存儲三巨頭中唯一一家不向英偉達公司供貨HBM芯片的企業(yè)。除了自身產(chǎn)品性能達不到英偉達的要求以外,最重要的因素還是三星電子內部沒(méi)有未能及時(shí)建立HBM研發(fā)中心并整合相關(guān)研究人員,最終導致內存戰略持續失策從而陷入不斷虧損。
好消息是,HBM市場(chǎng)足夠大,僅僅是供貨HBM3芯片就已經(jīng)讓三星電子吃飽了AI紅利。
根據美光最新一份財報提供的數據,在消費電子需求下降以及中國供應商開(kāi)始加大供貨的背景下,內存價(jià)格在年中達到頂點(diǎn)之后開(kāi)始,通用DRAM和NAND Flash的價(jià)格都在大幅下降,而受益于HBM需求的激增,DRAM業(yè)務(wù)(包含HBM)最終還是幫助美光填平了下滑周期的”大坑“。
對于2025年的總市場(chǎng)情況,美光給出了300億美元的預期,而目前能吃下這個(gè)市場(chǎng)的只有存儲芯片三巨頭,這也是為什么三星電子能在存儲市場(chǎng)下跌周期里實(shí)現復蘇的重要原因。
目前,SK海力士、三星、以及美光都在加速推進(jìn)第六代HBM產(chǎn)品(HBM4)的開(kāi)發(fā),而第七代HBM產(chǎn)品HBM4E的開(kāi)發(fā)同時(shí)提上了日程。
近日,美光就分享了最新的HBM4和HBM4E的開(kāi)發(fā)情況。其中HBM4有望在2026年量產(chǎn),HBM4E也會(huì )在2027年至2028年之間到來(lái)。除了提供更高的數據傳輸速度外,HBM4E還將采用可定制的基礎芯片,這標志著(zhù)行業(yè)的范式轉變。
從研發(fā)進(jìn)度上來(lái)看,除了三巨頭以外,其他競爭對手都會(huì )在明年陷入庫存調整的影響,一定程度上再度拉開(kāi)了差距。
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