臺積電2nm工藝實(shí)現突破，預計2023年投入試產(chǎn)

臺積電在新工藝上花費的成本將成為天文數字。

這幾年，臺積電在最新制程工藝上一直遙遙領(lǐng)先其競爭對手。根據最新報道顯示，臺積電目前在2nm工藝上取得了一項重大技術(shù)突破，盡管該技術(shù)并未對外披露細節，但有關(guān)人士預計，臺積電2nm工藝有望在2023年下半年進(jìn)行風(fēng)險性試產(chǎn)，并在2024年進(jìn)入量產(chǎn)階段。

臺積電表示，2nm的突破將再次拉大與競爭對手的差距，同時(shí)延續摩爾定律，繼續挺進(jìn)1nm工藝的研發(fā)。目前臺積電在5nm工藝上遙遙領(lǐng)先競爭對手，而3nm工藝已預計于近日開(kāi)始生產(chǎn)。按計劃，蘋(píng)果、高通、NVIDIA、AMD等客戶(hù)都有望率先采納其2nm工藝。

2nm工藝上，臺積電將放棄延續多年的FinFET(鰭式場(chǎng)效應晶體管)，甚至不使用三星規劃在3nm工藝上使用的GAAFET(環(huán)繞柵極場(chǎng)效應晶體管)，也就是納米線(xiàn)(nanowire)，而是將其拓展成為“MBCFET”(多橋通道場(chǎng)效應晶體管)，也就是納米片(nanosheet)。該技術(shù)能夠大大改進(jìn)電路控制，降低漏電率。

最后，記得關(guān)注微信公眾號：鎂客網(wǎng)（im2maker），更多干貨在等你！